空穴性半導體

空穴性半導體為遠大於自由電子濃度的雜質半導體。是在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位子，就形成空穴性半導體。半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

當向半導體中添加受主或施主物質(稱為摻雜物)，通過施主型雜質解離嚮導帶注入電子或受主型雜質俘獲價帶電子產生了自由載流子，使本徵半導體產生額外的電導，成為非本徵型半導體。