《積體電路工藝和器件的計算機模擬——IC TCAD技術概論》是2007年復旦大學出版社出版的書籍，作者是阮剛。
基本介紹
- 中文名：積體電路工藝和器件的計算機模擬——IC TCAD技術概論
- 作者：阮剛
- 出版時間：2007年3月
- 出版社：復旦大學出版社
- 頁數：316 頁
- ISBN：9787309053647
- 定價：36 元
- 開本：16 開
- 裝幀：平裝
- 字數：376千字
內容簡介,目錄,
內容簡介
積體電路工藝和器件的計算機模擬，國際上也稱作IC TCAD，是少數幾種有能力縮減積體電路開發周期和研製費用的技術之一．
本書以介紹積體電路工藝和器件的模擬器為主線，概論IC TCAD技術早期的可實用的成果、隨後的多方面發展、當今的研究進展和商用化現狀，以及近期和遠期的困難挑戰和能力需求．
本書適用於大學微電子或其他相關專業的碩士/博士研究生或高年級本科生作教材或教學參考書．本書作為一本IC TCAD技術的入門書，也適用於有需要或有興趣在IT領域工作的研發、生產和管理人員．
目錄
前言
第一章 引言
§1．1 模擬和積體電路模擬簡釋
1．1．1 模擬
1．1．2 積體電路模擬
§1．2 lC工藝和器件模擬簡介
1．2．1 IC工藝模擬
1．2．2 IC器件模擬
§1．3 本書的內容安排及特點
第二章 積體電路的工藝模擬
§2．1 SUPREM概述
§2．2 SUPREM-2概述
§2．3 SUPREM-2的工藝模型
2．3．1 離子注入模型
2．3．1．1 簡單的對稱高斯分布
2．3．1．2 兩個相聯的半高斯分布
2．3．1．3 修改過的：PearsonⅣ分布
2．3．1．4 矽表面有二氧化矽層時對射程的修正
2．3．1．5 熱退火對注入雜質分布的影響
2．3．2 熱加工時雜質遷移模型
2．3．2．1 擴散方程
2．3．2．2 非本徵情況下的擴散係數
2．3．2．3 矽中存在其他高濃度雜質時對雜質擴散分布的影響
2．3．2．4 磷的擴散遷移模型
2．3．2．5 氧化增強擴散
2．3．2．6 界面流量
2．3．2．7 產生和損失機構——砷的擴散遷移模型
2．3．3 熱氧化模型
2．3．3．1 Deal-Grove熱氧化生長公式
2．3．3．2 高矽表面摻雜濃度對矽氧化速率的影響
2．3．3．3 增量形式的熱氧化生長公式
2．3．4 矽外延模型
§2．4 SUPREM-2中幾個電參數的計算
2．4．1 薄層電阻計算
2．4．2 MOS閾值電壓計算
§2．5 SUPREM-2的使用和套用例舉
2．5．1 SUPREM-2的使用
2．5．2 SUPREM-2的套用例舉
2．5．2．1 SUPREM-2套用例舉一 CMOS P阱模擬
2．5．2．2 SUPREM-2套用例舉二 斯坦福配套元件晶片工藝
§2．6 SUPREM-3
2．6．1 SUPREM-3的離子注入模型
2．6．2 SUPREM-3的熱氧化模型
2．6．3 SUPREM-3的雜質擴散模型
2．6．3．1 SUPREM-3執行的非氧化情況下的雜質擴散模型
2．6．3．2 SUPREM-3執行的氧化表面情況下的雜質擴散模型
2．6．3．3 SUPREM-3執行的為其他材料的雜質擴散和分凝模型
2．6．4 SUPREM-3的矽外延模型
2．6．5 多晶矽模型
2．6．6 SUPREM-3中的電性能計算
2．6．7 SUPREM-3的使用和套用例舉
2．6．7．1 SUPREM-3的使用
2．6．7．2 SUPREM-3的套用例舉一 矽柵NMOS工藝
2．6．7．3 SUPREM-3的套用例舉二 摻雜多晶矽發射極雙極型電晶體
§2．7 SUPREM-4
2．7．1 SUPREM-4的離子注入模型
2．7．1．1 解析離子注入模型
2．7．1．2 Monte Carlo離子注入模型
2．7．2 SUPREM-4的雜質擴散模型
2．7．3 SUPREM-4的氧化模型
2．7．3．1 一維氧化模型
2．7．3．2 二維氧化模型
2．7．4 SUPREM-4的其他工藝模型和電參數計算模型
2．7．5 SUPREM-4的使用和套用例舉
2．7．5．1 SUPREM-4的使用
2．7．5．2 SUPREM-4的套用例舉一 矽的局部氧化工藝的二維模擬
2．7．5．3 SUPREM-4的套用例舉二 CMOS中NMOs管的製造工藝模擬
第二章參考資料
第三章 半導體器件的一維模擬
§3. 1 SEDAN-1的一般描述
§3. 2 SEDAN-1執行的半導體基本方程
§3. 3 SEDAN-1中幾個參數的物理模型
3．3．1 雜質濃度及電場對遷移率的影響
3．3．2 高摻雜濃度引起禁帶變窄
3．3．3 兩種複合機構對複合率的貢獻
§3．4 SEDAN-1的使用和套用例舉
3．4．1 SEDAN-1的使用
3．4．2 SEDAN-1的套用例舉
3．4．2．1 SEDAN-1的輸入檔案例舉
3．4．2．2 SEDAN-1的輸出信息例舉
§3．5 SEDAN-3
3．5．1 SEDAN-3概述
3．5．2 SEDAN-3執行的基本方程
3．5．3 SEDAN-3中幾個參數的物理模型
3．5．3．1 矽中幾個參數的物理模型
3．5．3．2 GaAs和AlGaAs中幾個參數的物理模型
3．5．4 SEDAN-3的使用和套用例舉
3．5．4．1 SEDAN-3的使用
3．5．4．2 SEDAN-3的套用例舉一 MOS電容的模擬
3．5．4．3 SEDAN-3的套用例舉二 npn電晶體的模擬
3．5．4．4 SEDAN-3的套用例舉三 具有多晶矽發射區的npn電晶體的模擬
3．5．4．5 SEDAN-3的套用例舉四 AlGaAs—GaAs異質結雙極型電晶體的模擬
第三章參考資料
第四章 半導體器件的二維模擬
§4．1 MINIMOS-2概述
§4．2 MINIMOS執行的半導體方程組
§4．3 3種求取二維摻雜分布的方法
§4．4 MINIMOS-2中遷移率及產生和複合模型
4．4．1 遷移率模型
4．4．2 產生和複合模型
§4．5 MINIMOS-2的使用和套用例舉
4．5．1 MINIMOS-2的使用
4．5．2 MINlMOS-2的套用例舉
4．5．2．1 MINIMoS-2的輸入檔案例舉
4．5．2．2 幾個參數的二維圖輸出例舉
§4．6 MEDICI
4．6．1 MEDICI概述
4．6．2 MEDICI執行的方程
4．6．3 MEDICI的物理模型
4．6．3．1 複合和壽命模型
4．6．3．2 禁頻寬度模型
4．6．3．3 遷移率模型
4．6．3．4 其他重要物理模型
4．6．4 MEDICI的使用和套用例舉
4．6．4．1 MEDICI的使用
4．6．4．2 MEDICI的套用例舉一 溝長為1．5µm的N溝MOSFET
4．6．4．3 MEDICI的套用例舉二 用能量平衡方程模擬LDD MOSFET中襯底電流
4．6．4．4 MEDICI的套用例舉三 SiGe異質結雙極型電晶體(HBT)
第四章參考資料
第五章 積體電路工藝和器件模擬的發展現狀和未來需求
§5．1 積體電路工藝和器件模擬器發展現狀
5．1．1 摻雜分布和氧化模擬器
5．1．2 光刻刻蝕和澱積的形貌模擬器
5．1．2．1 SAMPLE
5．1．2．2 DEPICT系列
5．1．2．3 ELITE
5．1．2．4 OPTOLITH
5．1．2．5 其他形貌模擬器
5．1．3 結合摻雜氧化和形貌模擬的完整工藝模擬器
5．1．4 積體電路製造工藝的統計模擬器
5．1．4．1 FABRICsⅡ的一般介紹
5．1．4．2 FABRICSⅡ中的隨機數產生器
5．1．4．3 FABRICSⅡ中的工藝和器件模擬器
5．1．4．4 積體電路製造工藝統計模擬技術的套用和發展
5．1．5 積體電路中有源器件及無源元件模擬器
5．1．6 積體電路中的互連寄生模擬器
5．1．6．1 模擬的基本內容和建模
5．1．6．2 互連寄生模擬器
§5．2 積體電路工藝和器件模擬近期和遠期的需求
5．2．1 困難挑戰
5．2．1．1 10個論題
5．2．1．2 近期困難挑戰
5．2．1．3 遠期困難挑戰
5．2．1．4 實驗驗證是關鍵的困難挑戰
5．2．2 近期和遠期的能力需求
5．2．2．1 近期的能力需求
5．2．2．2 遠期的能力需求
第五章參考資料
附錄
附錄一 SUPREM-2的輸入檔案書寫格式
附錄二 SEDAN-1的輸入檔案書寫格式
附錄三 MlNIMOS-2的輸入檔案書寫格式
