基本介紹
- 中文名：程立文
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：半導體光電子器件物理
- 職稱：副教授
- 任職院校：揚州大學
個人經歷,教育經歷,工作經歷,研究領域,學術成果,科研項目,發表論文,
個人經歷
教育經歷
2009.9-2012.6 中國科學院上海技術物理研究所, 獲微電子學與固體電子學專業理學博士學位；
2005.9-2008.3中國科學院長春光學精密機械與物理研究所, 獲凝聚態物理學專業理學碩士學位；
1983.8-1987.6 吉林大學，獲電子科學與技術專業工學學士學位。
工作經歷
2012.7-至今 揚州大學副教授
2008.3-2009.8 Crosslight公司中國分公司技術工程師
研究領域
1、研究方向
半導體光電子器件物理
2、 研究內容
（1）半導體光電子器件和電子器件的物理機理研究，如半導體發光二極體（LED），半導體雷射器（LD），太陽能電池（Solar Cell），半導體光電探測器（PD）以及高遷移率電晶體（HEMT）的物理機制和量子特性研究。
（2） 化合物半導體光電器件的結構設計和性能最佳化。主要是基於基本的物理機制，通過能帶工程和能帶裁剪原理來進行設計和最佳化現有的光電子器件。
學術成果
科研項目
國家自然科學基金青年基金項目（項目編號：61404114）
江蘇省自然科學基金青年基金項目（項目編號：BK20140491）
江蘇省高校自然科學研究項目（項目編號：14KJB140016）
揚州大學科技創新培育基金項目（項目編號：2013CXJ011）
發表論文
(1) Liwen Cheng and Shudong Wu. Performance enhancement of blue InGaNlight-emitting diodes with a GaN-AlGaN-GaN last barrier and without an AlGaN electron blocking layer. IEEE J. Quantum Electron. 50(4), 261 (2014)
(2) Li-Wen Cheng, Chun-Yan Xu, Yang Sheng, Chang-Sheng Xia, Wei-Da Hu, and Wei Lu. Study on GaN-based light emitting diode with InGaN/GaN/InGaN multi-layer barrier. Opt. Quant. Electron. 44(3-5), 75 (2012)
(3) Li-Wen Cheng,Yang Sheng , Chang-Sheng Xia, Wei Lu, Michel Lestrade, and Zhan-Ming Li. Simulation for light power distribution of 3D InGaN/GaN MQW LED with textured surface. Opt. Quant. Electron. 42(11-13), 739 (2011)
(4) Chang Sheng Xia, Z. M. Simon Li, Z. Q. Li, Yang Sheng, Zhi Hua Zhang, Wei Lu, and Li Wen Cheng. Optimal number of quantum wells for blue InGaN/GaN light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 100, 263504 (2012)
(5) Chang Sheng Xia, Z. M. Simon Li, Wei Lu, Zhi Hua Zhang,Yang Sheng,and Li Wen Cheng. Droop improvement in blue InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with indium graded last barrier. Appl. Phys. Lett. 99, 233501 (2011)
(6) Chang Sheng Xia, Z. M. Simon Li, Wei Lu, Zhi Hua Zhang,Yang Sheng,and Li Wen Cheng. Efficiency enhancement of blue InGaN/GaN light emitting diodes with an AlGaN-GaN-AlGaN electron blocking layer. J. Appl. Phys. 111, 094503 (2012)
(7) S. M. He, X. D. Luo, B. Zhang, L. Fu, L. W. Cheng, J. B. Wang, and W. Lu*. Junction temperature measurement of light emitting diode by electroluminescence. Rev. Sci. Instrum. 82, 123101 (2011)
(8) Shuchang Wang, Xiong Zhang, Hao Guo, Hongquan Yang, Min Zhu, Liwen Cheng, Xianghua Zeng , and Yiping Cui. Enhanced performance of GaN-based light-emitting diodes by using a p-InAlGaN/GaN superlattice as electron blocking layer. J. Mod. Opt. 60( 21), 2012 (2013)
(9) Li-wen Cheng, Yang Sheng, Chang-Sheng Xia, and Wei-da Hu. Efficiency enhancement in InGaN/GaN light-emitting diodes by decreasing the thickness of last barrier. IEEE, 13th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, 2013.08, 49, Vancouver, (2013)
(10) Li-Wen Cheng, Yang Sheng, Chang-Sheng Xia, Wei Lu, Lestrade, M., Zi-Qiang Li,Zhan-Ming Li. Effects of polarization charge in GaN-based blue laser diodes (LD). IEEE,10th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices,13-14(2010)
(11) Li-Wen Cheng, Yang Sheng, Chang-Sheng Xia, Wei Lu, Lestrade, M., Zi-Qiang Li,Zhan-Ming Li. Simulation for light power distribution of 3D InGaN/GaN MQW LED with textured surface. IEEE,10th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, 1-2(2010)
(12) Liwen Cheng, Chunyan Xu, Yang Sheng, Weida Hu, Wei Lu, and Zhanming (Simon) Li. Study of InGaN/GaN/InGaN Multi-Layer Barrier in GaN-based Light Emitting Diode. IEEE,11th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices,31-32(2011)
(13) Chang Sheng Xia, Z. M. Simon Li, Wei Lu, Zhi Hua Zhang,Yang Sheng,and Li Wen Cheng. Efficiency enhancement of blue InGaN/GaN light emitting diodes with an AlGaN-GaN-AlGaN electron blocking layer. J. Appl. Phys. 111, 094503 (2012)
(14) S. M. He, X. D. Luo, B. Zhang, L. Fu, L. W. Cheng, J. B. Wang, and W. Lu. Junction temperature measurement of light emitting diode by electroluminescence. Rev. Sci. Instrum, 82, 123101 (2011)
(15) Fan YU-pei, Cheng Li-wen, Lin Yue-ming, Zhang Jun-bing, and Zeng Xiang-hua. Optimization of electrode shape for high power GaN-based light-emitting diodes. Optoelectron. Lett, Vol.5 No.5(2009)
(16) 程立文，梁雪梅，秦莉，王祥鵬，盛陽，寧永強，王立軍； 980nm OPS-VECSEL關鍵參數的理論分析，發光學報，2008年04期
(17) 梁雪梅，呂金鍇，程立文，秦莉，寧永強，王立軍；920nm光抽運垂直外腔面發射半導體雷射器結構設計；發光學報；2010年01期
(18) 陳柏眾，戴特力，梁一平，秦莉，趙紅，周勇，程立文；用有限元法討論光抽運垂直外腔面發射半導體雷射器的散熱性能；中國雷射；2009年10期
(19) 秦莉，田振華，程立文，梁雪梅，史晶晶，張岩，彭航宇，寧永強，王立軍；980nm OPS-VECSEL單個諧振周期內量子阱數目的理論分析；半導體光電；2009年06期
