程控單結電晶體

程控單結電晶體屬於PNPN四層、三端、具有負阻特性的半導體器件。三個引出端分別是陽極A，陰極K，門極G。門極是從靠近陽極的N型半導體上引出①。PUT等效於由PNP矽管T1和NPN矽管T2構成的互補電晶體。

程控單結電晶體工作原理

它屬於PNPN四層、三端、具有負阻特性的半導體器件。三個引出端分別是陽極A，陰極K，門極G。門極是從靠近陽極的N型半導體上引出①。PUT等效於由PNP矽管T1和NPN矽管T2構成的互補電晶體。當VA>VG+0.7V(0.7V是T1的發射結正向壓降VEB)時，T1導通，IC1↑，使T2導通，IC2↑，這就進一步促使T1導通，形成正反饋，導致A-K間電阻急劇下降，呈現負阻特性。

程控單結電晶體觸發靈敏度

因為程控單結電晶體的觸發靈敏度很高，所以在開路時只要門極上有感應電壓，也能使A、K導通。為此可參照上圖所示電路，預先給A、G之間加一根短路線，強迫器件關斷。這時將萬用表置於R×1檔，黑表筆接A極，紅表筆接K極，讀數應為無窮大。然後斷開短路線，用手指觸摸G極，利用人體感應電壓使管子導通，A、K之間的電阻值應降成幾歐姆。由此證明管子已被觸發。否則說明管子已損壞。

程控單結電晶體優點

程控單結電晶體具有參數可調、觸發靈敏度高、漏電流小、脈衝上升時間快（約60ns）、輸出功率較大等優點，不僅能構成可控制脈衝波或鋸齒波發生器、過壓保護器、長延時器，還能觸發晶閘管及大功率電晶體。