Mobile DDR（也稱MDDR、Low Power DDR或LPDDR）是DDR SDRAM的一種，專門用於移動式電子產品，例如手機等。
基本介紹
- 中文名：移動DDR
- 外文名：MDDR
- 領域：計算機
簡介,LPDDR2,LPDDR3,LPDDR4,
簡介
DDR記憶體從DDR、DDR2、DDR3發展到DDR4，頻率更高、電壓更低的同時卻也讓反應時間不斷變大，改變著記憶體子系統。而DDR4最重要的使命是提高頻率和頻寬，每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的頻寬，擁有高達4266MHz的頻率，記憶體容量最大可達到128GB，運行電壓正常可降低到1.1V~1.2V。
相對於DDR記憶體,MDDR具有低功耗、高可靠性的特點，目前韓國三星與美光科技（Micron Technology）掌握該項技術。AppleiPad,Samsung Galaxy Tab以及Motorola Droid X都使用LPDDR。
MDDR的運行電壓（工作電壓）相比DDR的標準電壓要低，從第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使內部讀取大小和外部傳輸速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的頻寬，輸入/輸出接口數據傳輸速度最高可達3200Mbps，電壓降到了1.1V。至於最新的LPDDR4X，與LPDDR4相同，只是通過將I/O電壓降低到0.6V而不是1.1V來節省額外的功耗，也就是更省電。
LPDDR2
一個新的JEDEC標準JESD209-2F定義了low-power DDR接口標準。它與DDR1或DDR2 SDRAM並不兼容，但類似：
- LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1)，
- LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2)，或
- LPDDR2-N: 非易失性（NAND）記憶體。
低功耗狀態基本相似，LPDDR，一些額外的部分數組更新選項。
LPDDR2也有一個低電平有效的chip select（高時，一切都是NOP）和時鐘（clock）打開CKE信號，操作像SDRAM。
- 如果晶片被激活（active），它凍結（freeze）到位。
- 如果該命令是一個NOP（CS低或CA0 - 2 = HHH），晶片空閒。
- 如果該命令是一個更新命令（CA0 - 2 = LLH），晶片進入自更新狀態。
- 如果該命令是一個突發終止（CA0 - 2 = HHL），晶片進入深斷電狀態。 （完全復位序列時，需要離開。）
LPDDR3
2012年5月，JEDEC公布JESD209-3低功耗記憶設備標準。比起LPDDR2，LPDDR3提供更高的數據傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的數據傳輸速率，並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT（On Die Termination）與低I/O電容。LPDDR3支持PoP封裝（package-on-package）與離散封裝兩種形式。
LPDDR4
2013年3月14日，JEDEC固態技術協會舉辦會議，探討未來移動設備的新標準，如LPDDR4。
