基本介紹
- 中文名：磷銻化鎵銦
- 外文名：indium gallium antimonide phosphide
- 分子式：InxGa1-xSbyP1-y
- 性質：周期表Ⅲ、V族元素化物半導體
磷銻化鎵銦;indium gallium antimonide phosphide
分子式：InxGa1-xSbyP1-y， 0≤x≤1 0≤y≤1
性質：周期表Ⅲ、V族元素化物半導體。立方晶系閃鋅礦型結構。存在間接帶隙半導體區。可在銻化鎵、砷化銦襯底上用液相外延等方法製備。用於製作2μm波長附近的紅外發光器件和雷射器。
