磷化鎵外延片

GaP epitaxial wafer

在磷化鎵襯底上用液相外延或氣相外延法生長的磷化鎵單晶薄層材料。

是目前工業生產規模最大的化合物半導體發光二極體外延材料。

生產方式大多為冷卻法，操作方法有雙箱法、浸漬法、滑動舟法等，設備容量一般為20～30片欲。

採用垂直襯底架可達200片/次。