磁敏電阻材料的電阻值隨外旋磁場的變化而變化。與霍爾器件相比，磁敏電阻結構簡單、可將多個元件集成在同一基片上，使溫度係數很小(達10-5/℃)。磁敏電阻有半導體磁敏電阻和強磁性薄膜磁敏電阻兩類。
基本介紹
- 中文名：磁敏電阻材料
- 外文名：Magnetoresistive material
- 特點：阻值按線性關係增加
- 優勢：電阻結構簡單、多個元件集成
- 分類：半導體和強磁性薄膜磁敏電阻
- 套用：交流變換器、頻率變換器等
特點,套用,材料組成,發展趨勢,
特點
磁敏電阻的顯著特點：在弱磁場中阻值與磁場的關係成平方律增加；在強磁場中阻值按線性關係增加，並有很高的靈敏度。磁敏電阻器多為片形，外形尺寸較小。
套用
磁敏電阻器的套用：一般用於磁場強度、漏磁、制磁的檢測；在交流變換器、頻率變換器、功率電壓變換器、位移電壓變換器、等電路中作控制元件；還可用於接近開關、磁卡文字識別、磁電編碼器、電動機測速等方面或製作磁敏感測器用。
材料組成
半導體磁敏電阻材料主要是InSb、InAs晶體或薄膜，以及InSb-NiSb共晶體和InSb-In共晶薄膜等。InSb磁敏電阻分為體型和薄膜型兩種。薄膜型採用真空蒸發或真空濺射工藝製備，以真空蒸發為主。薄膜型InSb磁敏電阻的磁溫度特性優於體型InSb磁敏電阻。InAs的溫度特性則優於InSb。InSb-NiSb共晶體中，電阻率比InSb小得多的NiSb以針狀體形式定向排列，這樣就等於在共晶體中嵌入了許多金屬絲，使InSb的磁阻效應得以明顯改善。InSb-In共晶薄膜中的In以針狀結晶體形式定向排列於<111>取向的InSb薄膜中，也起到改善InSb材料磁阻效應的作用。
發展趨勢
強磁性薄膜磁敏電阻材料是指一類具有磁各向異性效應的磁敏材料。這類材料在磁化方向平行於電流方向時，阻值最大，在磁化方向垂直於電流方向時，阻值最小。因此，改變磁化方向與電流方向的夾角，即可改變強磁性薄膜磁敏電阻材料的阻值。強磁性薄膜磁敏電阻材料主要是Ni-Co合金薄膜和Ni-Fe合金薄膜。
磁敏電阻材料的發展與半導體材料的開發密切相關。發展趨勢是：開發高準確度、高靈敏度、低噪聲，高穩定性和可靠性以及多功能的磁敏器件與材料；研製非金屬和金屬化合物半導體、固溶體半導體、共晶體和共晶薄膜磁敏材料。
