《碳化矽肖特基勢壘二極體通用技術規範》是2019年9月21日發布的一項行業標準。
基本介紹
- 中文名：碳化矽肖特基勢壘二極體通用技術規範
- 外文名：General Specification for Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes
- 標椎編號：T/CASAS 001—2018
- 國民經濟分類：M732 工程和技術研究和試驗發展
- 發布日期：2018年09月21日
- 實施日期：2018年09月21日
起草單位,起草人,主要技術,
起草單位
中國科學院微電子研究所、全球能源網際網路研究院有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、株洲中車時代電氣股份有限公司、龍騰半導體有限公司
起草人
許恆宇、李諒企才金元、柏松、李誠瞻、劉鵬飛、萬彩萍、查禕英、劉奧、周維、趙璐冰、高偉
主要技術
碳化矽（SiC）是目前發展最成熟的寬禁帶半導體之一，具有比矽更高的擊穿場強雄臭府旬、更快的飽和速度和電子漂移速度、更寬的禁頻寬度和更高的婚拜姜熱導率等特性，可製作性能更加優異的高效、高溫、高頻、大功率、抗輻射功率器件。不僅能夠在臭應直流、交流輸電，不間斷電源，開關電源，工業控制等傳統工業領域廣泛套用，而且在太陽能、風能、電動汽車航空航天等領域也具有廣闊的套用前景。
隨著SiC 肖特基勢壘二極體的技術發展、市場逐步開啟，Si二極體的標準在某些方面的規定既不能體現SiC二極體優越的特性，也限制了SiC二極體在某些突出特性方面的發展，制定《剃歸記碳化矽肖特基勢壘屑促婆二極幾才榆寒管通用技術規範》，以支撐產品的設計、生產、測量、驗收等工作。
