碳化矽納米線

SiC納米線是一種徑向上尺寸低於100nm ,長度方向上遠高於徑向尺寸的單晶纖維。SiC納米線生產技術一直都是全球研究的中心及難點。目前SiC納米線在全球產量不高,一般為實驗室水平生產(每次產量約幾十微克)。

基本介紹

  • 中文名:碳化矽納米線
  • 外文名:SiC Nanowire
發展背景,傳統製備方法,新型製備方法,碳化矽納米線的檢測,碳化矽納米線的套用,

發展背景

SIC材料是人造共價鍵化合物,以其優異的高溫強度、高熱導率、高耐磨性和耐腐蝕性已在航空航天、汽車機械、化工、電子等工業領域廣泛套用。但傳統SIC材料本身的缺陷使其無法滿足現代科技的苛刻要求。納米技術的誕生為SIC材料的製備開闢了新的途徑。性能更為優異的SIC納米材料克服了傳統SIC傳統材料的缺陷而必將套用廣泛。碳化矽納米線正是在這樣的背景下研究發展起來。

傳統製備方法

主要分為兩類,氣相反應法和固體材料法。氣相反應法是指用含碳氣體和含矽氣體反應,或者分解一種含碳、含矽化合物的有機氣體合成。固體材料法是指利用載氣通過含碳、含矽的固體材料,在與反應材料隔開的空間形成納米線。

新型製備方法

1、納米碳管模版法
1994年,zhou等人首次用碳納米管作為先驅體,在流動Ar氣保護下讓其與SiO氣體於1700℃反應,合成了長度和直徑均比碳納米管大一個數量級的實心、針狀的碳化矽納米線。
2、納米尺度液滴外延法
孟國文等將含有硝酸鐵的柱狀活性炭置於爐內,爐內抽著空後通入0.1MPa的高純Ar氣,經4h加熱到1200℃,接著以H2為載氣將SiCl4載入爐內,在1200℃保溫1.5h,整個過程一直同Ar氣,保證管路暢通,在1200℃下,SiCl4與H2反應生成Si,由於活性炭中鐵的催化作用,Si與C反應生產碳化矽納米線。
孟國文等以純試劑正矽酸乙酯、無水乙醇、蔗糖和蒸餾水為原料,用硝酸為催化劑,採用溶膠凝膠工藝製備含蔗糖的二氧化矽溶膠,其中正矽酸乙酯、無水乙醇、蒸餾水的摩爾比為1:4:12.5,蔗糖的加入量使最終凝膠中的碳與二氧化矽中矽的摩爾比為4:1:1,均勻混合後經90℃烘乾,經700℃在氮氣中加熱2h的含碳的二氧化矽乾凝膠。將含碳二氧化矽乾凝膠塊體放入爐內的高純石墨坩堝中,在流動Ar氣保護下,以14℃/min升溫至1650℃,保溫2.5h,冷至室溫。獲得碳化矽納米線。

碳化矽納米線的檢測

碳化矽納米線的XRD圖譜碳化矽納米線的XRD圖譜
碳化矽納米線的SEM照片碳化矽納米線的SEM照片
碳化矽納米線的SEM照片碳化矽納米線的SEM照片

碳化矽納米線的套用

碳化矽納米線增強增韌的金屬基、陶瓷基複合材料已廣泛套用到機械、化工、國防、能源、環保等領域。

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