碲化錫

物理性質

性狀：灰色立方晶系晶體.
密度（g/mL,25℃）：6.5
熔點（oC）：790

作用與用途

常溫常壓下穩定
避免光，明火，高溫.不溶於水，具半導體性質。

合成方法

分別稱取化學計量比的高純錫和碲，放入一潔淨的石英安瓿中，在高真空（約10-5Pa）下密封。將安瓿放在冷的熔爐中，慢慢升溫（約50℃/h）達435℃，加熱72h。關閉熔爐，令安瓿緩慢冷卻，近10h冷至室溫，得到高純SnTe。
分別稱取化學計量比的高純錫和碲，放入一潔淨的石英安瓿中，在高真空（約10-5Pa）下密封。將安瓿放在冷的熔爐中，快速升溫（約200℃/h）達810℃，保溫5h。開始降溫，令安瓿緩慢冷卻（約50℃/h），近15h冷至室溫，得到高純SnTe。
用1L的三頸圓底燒瓶為電解池，陰極是直徑5mm、長7cm、純度99.999%半導體材料級的單質碲，陽極是比陰極大的圓柱形高純錫，電極各插入燒瓶的一個瓶口，金屬和玻璃之間要用膠密封。中間的瓶口用於加料並連線機械真空泵為排氣抽真空用。瓶內放置有聚四氟乙烯包裹的磁力攪拌子在電解過程中攪拌。電解液為pH值4.5的NH4Ac -HAc緩衝溶液（用500mL 1mol/L氨水加入足量的醋酸中至pH值為4.5制配）。裝好電極和電解液的燒瓶要抽真空，磁力攪拌30min除氣，確定高真空後，開始電解。電解時陽極產生Sn2+，陰極對等形成Te2-，溶液中生成SnTe沉澱。
電解液中也可加入含金屬離子的可溶鹽，則以鉑為陽極，金屬鹽溶液（如氯化亞錫）由滴液漏斗滴入，實驗在101.325kPa純氬氣中進行。
為促使沉澱凝結，將在電解液中的沉澱在氬氣氛中煮沸16h。為防止氧化在此之前不要讓結晶暴露在空氣中，用傾瀉法洗滌結晶，離心分離，120℃氬氣流中乾燥4h。

貯存方法

常溫密閉，陰涼通風乾燥

毒理學數據

主要的刺激性影響：
在皮膚上面：可能引起發炎
在眼睛上面：可能引起發炎
致敏作用：沒有已知的敏化現象

生態學數據

通常對水體是稍微有害的，不要將未稀釋或大量產品接觸地下水，水道或污水系統，未經政府許可勿將材料排入周圍環境。

計算化學數據

1、氫鍵供體數量：0
2、氫鍵受體數量：0
3、可旋轉化學鍵數量：0
4、拓撲分子極性表面積（TPSA）：0
5、重原子數量：2
6、表面電荷：0
7、複雜度：2
8、同位素原子數量：0
9、確定原子立構中心數量： 0
10、不確定原子立構中心數量：0
11、確定化學鍵立構中心數量：0
12、不確定化學鍵立構中心數量：0
13、共價鍵單元數量：1

中文名稱	碲化錫
英文名稱	tin telluride
定　　義	由ⅣA族元素Sn和ⅥA族元素Te化合而成的Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體材料。分子式為SnTe。室溫下禁頻寬度為0.60eV，屬直接躍遷型能帶結構。
套用學科	材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科）

碲化錫

基本介紹