碲化鋅晶體是周期表II 族元素化合物半導體。離子鍵結合,有一定共價鍵成分。
介紹
方晶系閃鋅礦}'f結構。為直接帶隙半導體,室溫禁頻寬度 2.28eV,電子和空穴遷移率分別為5.3 x 10一2和9 x l0-zmZl (V·;)。熔點12380;,折射率3.56。採用區域熔煉、液相澱積 等方法製備。為可見光發光材料。
碲化鋅晶體是周期表II 族元素化合物半導體。離子鍵結合,有一定共價鍵成分。
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碲化鋅是一種Ⅱ-Ⅵ族化合物,化學式為ZnTe。在氫氣氣氛中,將碲和鋅一起加熱,然後升華,可製得紅棕色的碲化鋅。由於碲化鋅具有寬禁帶的特性,常用於製作半導體...
中文名 多晶碲化鋅 外文名 ZnTe 在“天宮二號”空間實驗室,通過“碲溶劑法”用綜合材料實驗裝置進行微重力下ZnTe:Cu晶體生長的科學實驗。...
9. 王占勇,高亮度綠光LED用碲化鋅晶體的生長,上海市教委創新基金,2009.9-2011.12;10. 申慧,具有強磁光效應的摻雜YFeO3晶體研究,上海市教委創新基金,2011.01...