《硒族納米晶輻射探測材料研究》是依託電子科技大學,由祖小濤擔任醒目負責人的聯合基金項目。
基本介紹
- 中文名：硒族納米晶輻射探測材料研究
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：聯合基金項目
- 項目負責人：祖小濤
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
硒族納米晶輻射探測材料具有信號損耗少、探測效率高和低成本等優勢，是未來新型核探測技術的發展方向，增加了半導體輻射探測器普及到生產、生活各個領域的可能性。本項目擬採用第一性原理模擬計算不同元素組成的二元/三元硒族化合物體系的電子結構、載流子濃度和遷移率等關鍵參數，採用從頭算分子動力學方法模擬硒族化合物在輻射環境下的晶體結構、缺陷演變及其對材料電學性質的影響，預測硒族納米晶材料的輻射探測性能，給出最佳化體系。根據理論最佳化結果，製備相應的納米薄膜材料，並結合熱退火改善探測材料的電學特性，最後基於優質的硒族納米晶薄膜製作輻射探測器件，並開展α粒子和γ射線探測實驗，研究器件的電學回響特性，獲得能量解析度等重要參數。依據輻射探測結果，改進納米薄膜的製備方法，最終獲得輻射探測性能優良的納米薄膜體系和相應的製備工藝，為工程套用提供參考。
結題摘要
理論計算了Ag摻雜對CdSe納米晶的結構、電子和光學性質的影響，發現Ag摻雜原子的位置和數量是改變電子結構的關鍵因素；Ag摻雜可以大大增強CdSe對紫外-可見區的光的吸收，並將CdSe量子點的吸收邊緣擴展到紅外區。計算了Cu摻雜劑的位置對CdSe納米晶體電子結構的影響。對CdSe、CdTe基納米線陣列的製備、微結構及光輻射的探測性能做了實驗研究，發現CdSe-CdTe基結構對光輻射具有較寬的光譜回響範圍；利用鈉輔助外延法生長了二維超薄Sb2Se3納米片樣品，二維超薄Sb2Se3納米片具有寬的光譜回響區間，良好的光輻射探測能力；對鎳基硒化物、過渡金屬摻雜鎳基硒化物的製備、微結構及電學性質做了實驗研究，可以成功獲得鎳基硒化物和過渡金屬摻雜的硒化鎳，過渡金屬摻雜可以有效提升硒化鎳的電化學性質。研究了γ射線輻照對MoS2納米材料的微觀結構和導電性能的影響。
