硒化錫晶體iin selenide ; rystal SnSe周期表第V、\I族化合物半導體正交晶系離子性晶體，晶格常數D . d44nm密度fi . 19}; /rm=} ,熔點86D`}.。為直接帶隙半導體。一般為。型材料空穴有效慣性質量為0.15m。室溫禁頻寬度D.yDeV,空穴遷移率1 h lit-`mltV"s)二採用熔化再結品法製備_用於製作紅外探測器。
