周期表第皿、V族元素化合物半導 體。為混合晶體，共價鍵結合，有一定離子鍵成分門飯方晶系 閃鋅礦型結構。為直接帶隙半導體，禁頻寬度在0.70一 1，428ov範圍，電子遷移率O‘17:子/〔V·、)。採用區域熔煉 法、外延法製備用作光陰圾材料.
