砷銻化稼錮

周期表第111、丫 族兀素化合物半導體。為混合.鑽沐，閃鋅礦型結構.存在間 接帶隙半導休區。禁頻寬度。，1一1 .42eV.為製作2一，lLm 紅外發光和雷射器件的材料。可在銻化稼、砷化鋼襯底上用 液相外延、分子束外延等方法製備。