《砷化鎵單晶位錯密度的測量方法(GB/T 8760-2006)》修改了原來表述位錯密度的術語解釋；重新製作了部分圖片，改善圖片質量；原標準規定，腐蝕位錯坑時，熔化的氫氧化鉀的溫度要保持在400℃。實驗證明，只要熔化的氫氧化鉀呈現澄清狀態，選擇適當的腐蝕時間，都能得到清晰的腐蝕坑，故取消了要求熔化的氫氧化鉀溫度保持在400℃的嚴格限制。
基本介紹
- 書名：砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
- 作者：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
- 出版日期：2006年11月1日
- 語種：簡體中文
- ISBN：155066128140
- 外文名：Gallium Arsenide Single Crystal-Determination of Dislocation Density
- 出版社：中國標準出版社
- 頁數：5頁
- 開本：16
- 品牌：北京勁松建達科技圖書有限公司
《砷化鎵單晶位錯密度的測量方法(GB/T 8760-2006)》由中國標準出版社出版。
