《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》代替GB/T 4058—1995《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法》。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》與GB/T 4058—1995相比,主要有如下變化:1.範圍中增加了矽單晶氧化誘生缺陷的檢驗;2.增加了引用標準;3.增加了“術語和定義”章;4.將原標準中“表1 四種常用化學拋光液配方”刪除,在第5章中對化學拋光液配比進行了修改,刪除了乙酸配方;增加了鉻酸溶液A的配製、Sirtl腐蝕液及Wright腐蝕液的配製;增加了幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、套用及適用性的分類對比表;5.採用氧化程式替代原標準中的氧化的操作步驟;增加了(111)面缺陷的顯示方法及Wright腐蝕液的腐蝕時間,將(111)面和(100)面缺陷顯示方法區分開了;(100)面缺陷的顯示增加了Wright腐蝕液腐蝕方法;6.在缺陷觀測的測點選取中增加了“米”字型測量方法。
基本介紹
- 書名:矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
- 作者:中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
- 出版日期:2010年1月1日
- 語種:簡體中文
- ISBN:155066139567
- 外文名:Test Method for Detection of Oxidation Induced Defects in Polished Silicon Wafers
- 出版社:中國標準出版社
- 頁數:14頁
- 開本:16
- 品牌:北京勁松建達科技圖書有限公司
《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》的附錄A為資料性附錄。《矽拋光片氧化誘生缺陷的漿愉格檢驗方舉精促棗法(GB/T 4058-2009)》由全國半導體設備和材料標準化技術端辨糠委員會提出。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。《矽拋光戒犁檔片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》起草仔淋灶充單位:峨嵋半導體材料廠。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》主要起草人:何蘭英、王炎、張輝堅全愉、劉陽。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》所代替標準的歷次版本發布情況嫌想永為:GB 4058—1983、GB/T 4058—1995;GB 6622—1986、GB 6623—1986。