《矽基襯底ZnO納米管陣列的可控制備及光電性能研究》是依託上海交通大學，由鄭茂俊擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：矽基襯底ZnO納米管陣列的可控制備及光電性能研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：鄭茂俊
- 依託單位：上海交通大學
- 批准號：50572064
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
ZnO納米管以其在高性能感測器、太陽能電池等方面的廣泛套用前景，引起了人們的極大興趣和關注。如何實現在各種襯底上生長出垂直襯底的、形態和尺度可控的、均勻排列的ZnO納米管陣列膜是目前面臨的關鍵問題。在本項目中，首次提出一種實現在矽基上構築徑向和軸向尺寸均可控的、均勻排布的ZnO納米管陣列體系的新途徑：在摻雜單晶矽基片上構建具有納米孔陣列的誘導層，利用納米孔結構的誘導作用和特殊的表面應力場分布及ZnO材料的取向生長習性，結合磁控濺射技術，通過生長動力學控制和生長工藝最佳化,實現在矽基上構築管徑、長度和空間排列均可控的超均勻ZnO（摻雜ZnO）納米管陣列。實現了從實驗上獲取ZnO納米管的基本性能與其微觀幾何尺寸之間的關係及ZnO納米管的性能隨摻雜量、摻雜種類的變化規律。這對未來設計、研製基於ZnO納米管陣列的優異性能的感測器、場發射器件和其它光電功能器件具有非常重要的意義。
