《矽和鍺體內少數載流子壽命的測定光電導衰減法》是2024年3月1日開始實施的一項中國國家標準。
基本介紹
- 中文名：矽和鍺體內少數載流子壽命的測定光電導衰減法
- 外文名：Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium—Photoconductivity decay method
- 標準號：GB/T 1553-2023
- 標準類別：管理
編制進程,起草工作,內容範圍,
編制進程
2023年8月6日，《矽和鍺體內少數載流子壽命的測定光電導衰減法》發布。
2024年3月1日，《矽和鍺體內少數載流子壽命的測定光電導衰減法》實施。
起草工作
本檔案起草單位:有研半導體矽材料股份公司、有色金屬技術經濟研究院有限責任公司、廣州昆德半導體測試技術有限公司、青海芯測科技有限公司、陝西有色天宏瑞科矽材料有限責任公司、浙江海納半導體股份有限公司、洛陽中矽高科技有限公司、江蘇中能矽業科技發展有限公司、宜昌南玻矽材料有限公司、江蘇鑫華半導體科技股份有限公司、亞州矽業(青海)股份有限公司、雲南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司、雲南馳宏國際鍺業有限公司。
本檔案主要起草人:孫燕、寧永鐸、李素青、朱曉彤、賀東江、王昕、薛心祿、徐岩、潘金平、嚴大洲王彬、蔡雲鵬、田新、趙培芝、冉勝國、韓成褔、普世坤、蔡麗艷、高源、趙晶、崔丁方。
