石墨烯CVD是一種用於化學、材料科學、能源科學技術、化學工程領域的分析儀器,於2018年5月7日啟用。
基本介紹
- 中文名:石墨烯CVD
- 產地:中國
- 學科領域:化學、材料科學、能源科學技術、化學工程
- 啟用日期:2018年5月7日
- 所屬類別:分析儀器 > 樣品前處理及製備儀器
石墨烯CVD是一種用於化學、材料科學、能源科學技術、化學工程領域的分析儀器,於2018年5月7日啟用。
石墨烯CVD是一種用於化學、材料科學、能源科學技術、化學工程領域的分析儀器,於2018年5月7日啟用。技術指標◆ 兼容真空及常壓兩種主流的生長模式 G-CVD系統是一套完備的石墨烯製備系統,包括硬體和軟體部分。工作在常壓...
不斷地這樣操作,於是薄片越來越薄,最後,他們得到了僅由一層碳原子構成的薄片,這就是石墨烯。他們共同獲得2010年諾貝爾物理學獎,石墨烯常見的粉體生產的方法為機械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長法,薄膜生產方法為化學氣相沉積法(CVD)。這以後,製備石墨烯的新方法層出不窮。2009年,安德烈·蓋姆和康斯坦丁...
石墨烯(Graphene,石墨單層材料)是由單層sp2碳原子組成的六方蜂巢狀二維結構,具有眾多優良的物理特性,是未來納米電子器件的理想材料。但是,目前缺少有效的氣相生長大面積單層石墨烯薄膜技術,通過化學氣相澱積(CVD) 生長的是多層石墨或是和石墨烯的混合薄膜。因此,尋求有效的技術手段抑制多層石墨的生長,是獲得大面積...
第3 章 石墨烯的成核與生長/ 047 3.1 石墨烯CVD 生長過程 047 3.2 氣相反應 048 3.3 甲烷的吸附與分解 050 3.4 活性基團 052 3.5 石墨烯的成核 055 3.6 石墨烯單晶的生長形狀 060 3.6.1 Wulff構型 060 3.6.2 熱力學平衡結構 060 3.6.3 動力學穩定性和生長行為 063 3.6.4 單晶...
6.1 CVD 生長過程中石墨烯的本徵污染問題229 6.2 本徵污染的成因238 6.2.1 氣相反應的複雜性238 6.2.2 襯底表面上的碳化和石墨化過程242 6.3 直接生長法製備超潔淨石墨烯247 6.3.1 泡沫銅助催化生長法249 6.3.2 含銅碳源助催化生長法253 6.4 後處理法製備超潔淨石墨烯257 6.4.1 二氧化碳氧化...
《銅表面催化石墨烯CVD生長動力學的理論研究》是依託山東大學,由李海蓓擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 由於Cu表面CVD生長的石墨烯具備大尺寸高質量以及較好的層數可控性等優點,Cu基底被公認為是石墨烯CVD生長領域最有前景的金屬催化劑之一。然而,活性碳濃度、Cu表面的微觀形貌結構等參數對石墨烯CVD生長...
該方法可實現大面積石墨烯的電磁特性表征,為設計石墨烯微波/毫米波電路奠定基礎。結題摘要 石墨烯具有納米級物理尺寸和金屬半導體特性,傳統電磁參數測試方法存在靈敏度低,測試誤差大,甚至失效等問題,導致目前僅限於對機械剝離的小面積石墨烯傳輸線等效電路模型的研究,而對化學氣相沉積(CVD)製備的大面積石墨烯本徵...
《催化劑襯底對石墨烯CVD生長的影響》是依託華東師範大學,由袁清紅擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 金屬催化劑是石墨烯CVD製備中的一個關鍵因素,它對於石墨烯的成核速度,成核方向,生長速度,生長層數及缺陷修復等均有重要影響。催化劑的合理選擇對於實現高質量石墨烯的合成具有非常重要的意義,然而目前...
研究石墨烯/有機半導體的界面結構是探索影響有機光電器件性能的關鍵因素和尋找提高性能的有效途徑的基礎。本項目中我們以CVD法生長的石墨烯為主要研究對象,結合還原的氧化石墨烯和高定向熱解石墨,採用掃描隧道顯微鏡結合DFT理論計算、蒙特卡洛模擬、紫外可見吸收光譜、X射線光電子能譜等研究了多種有機和聚合物半導體材料...
《原子團簇修飾石墨烯及其量子霍爾回響的實驗研究》是依託南京大學,由宋鳳麒擔任項目負責人的重大研究計畫。項目摘要 本項目擬開展團簇修飾石墨烯相關實驗並研究該體系的量子霍爾效應。我們將採用解理法、CVD法製備石墨烯,控制製備路徑並配合電子束、離子束的方法控制其缺陷類型和數量,然後將質量選擇的金屬團簇沉積在石墨...
《粉體石墨烯材料的製備方法》是2020年華東理工大學出版社出版的圖書。內容簡介 本書詳細介紹了粉體石墨烯的有關製備方法及性質,具體包括氣相化學沉積法、機械剝離法、氧化還原法、化學剝離法和超臨界剝離法等。此外,本書整理和歸納了國內外同行的研究成果,更加全面地反映粉體石墨烯的研究狀況。本書可供粉體石墨烯...
1.1 石墨烯光電性質概述 003 1.2 石墨烯與柔性透明導電薄膜 004 1.3 石墨烯柔性光電器件 011 1.4 石墨烯套用的技術需求 014 1.5 本書章節安排 016 第 2 章 石墨烯薄膜製備技術 017 2.1 引言 019 2.1.1 石墨烯製備方法概述 019 2.1.2 CVD 法製備石墨烯薄膜 023 2.2 CVD 法製備石墨烯成核熱力...
針對此問題,本項目擬採用化學氣相沉積法(CVD)製備的銅基石墨烯基板(G-Cu)進行釺焊連線,通過微焊點界面處的石墨烯層抑制由於界面元素擴散所導致的界面惡化。以本領域套用最廣泛的SAC305為釺料,開展SAC305/G-Cu釺焊連線的相關基礎研究。分析添加石墨烯層厚度對釺焊過程中釺料潤濕鋪展特性、界面反應、連線性能的影響...
青島大學石墨烯套用技術創新研究院有一層次特聘教授2名,二層次特聘教授1名,講師3名,博士後2名,在讀研究生18名。團隊與國內外多所大學包括清華大學、復旦大學、中科院北京化學所和長春應化所、中國海洋大學、澳大利亞新南威爾斯大學、阿德萊德大學、迪肯大學、韓國仁荷大學、西班牙光電子所的知名教授建立了緊密、長久...
另一方面,採用創新性的“籽晶生長法”,通過人為在銅箔表面形成多層AB堆疊石墨烯種子,橫向外延生長多層石墨烯。控制種子濃度和厚度可調控石墨烯的成核密度和層厚,最終獲得大面積層厚可控的多層石墨烯薄膜。這些技術為Cu基底多層石墨烯CVD的可控制備提供了新的思路,效率高,可與大面積單層石墨烯產業製備相結合,適合...
4 石墨烯的製備、表征及轉移 4.1 乾法剝離 4.1.1 用於研究目的的機械剝離 4.1.2 陽極鍵合 4.1.3 雷射燒蝕和光剝離 4.2 液相剝離 4.2.1 石墨的液相剝離 4.2.2 氧化石墨的液相剝離 4.2.3 插層石墨的液相剝離 4.3 SiC熱蒸發法 4.4 化學氣相沉積(CVD)4.4.1 金屬襯底上熱CVD法...
發現在CVD單層石墨烯的轉移過程中,使用不同的化學試劑會對其造成不同的影響。發現在石墨烯中引入不同類型的缺陷會對其熱傳導性能造成巨大影響。 4、研究了石墨烯中缺陷對其光電性能的影響。通過雷射改性的方法,逐點的在石墨烯上引入了缺陷及摻雜。光電測試結果顯示,改性與非改性石墨烯間形成了p+-p結,並且獲得了...
要實現碳納米管和石墨烯的控制生長,深入理解其生長機理是至關重要的。到目前為止其生長機理仍是眾說紛紜,這都是因為人們很難獲得高溫生長過程中的中間信息。本項目的核心目標就是將高溫的CVD生長體系引入到拉曼光譜測量的樣品台上,實現在碳納米管或石墨烯的生長過程中原位測量其拉曼光譜的變化規律,捕捉到碳納米管...
同時,石墨烯的零帶隙能帶結構理論上可以吸收任意波長的光,預示其具有優異的X射線波段探測套用潛力,同時石墨烯遷移率極高有望研製出高速探測器。本項目主要從以下四個層面展開研究並取得了相關的成果:1. 探索了CVD法製備及轉移石墨烯的工藝,開發雷射製備石墨烯的加工技術。2. 建立了石墨烯能帶模型,實時測量並...
發現經雷射刻蝕的PDMS膜具有Janus雙層膜的特徵能夠實現油驅動回響。 (5)鋁合金表面製備疏水石墨烯塗層。一是化學還原氧化石墨烯,並結合旋塗技術在鋁合金基底上製備薄膜,接觸角高達153.7°。二是藉助CVD設備,以銅箔為襯底沉積單層石墨烯,結合PMMA轉移技術將單層石墨烯轉移到經車床加工後的鋁合金基底。
2.6.1偏析生長石墨烯077 2.6.2自下而上合成石墨烯079 2.6.3切開碳納米管制備石墨烯080 2.6.4TEM電子束石墨化081 2.7石墨烯的轉移082 2.7.1將機械剝離的石墨烯轉移至任意基底上083 2.7.2剝離SiC表面外延生長的石墨烯085 2.7.3將金屬上以CVD法生長的石墨烯轉移至任意基底上087 2.7.4任意基底上...
ZnO納米棒具有優異的光學性質,石墨烯具有優良的電學性質並且可變形,製備出高質量ZnO納米棒/石墨烯異質結能夠發揮兩者協同效應,有望在高性能柔性光電子器件中實現重要套用。然而,目前的研究僅限於該異質結構在相關器件中的性能最佳化嘗試,對於異質結本身的科學問題卻研究甚少。本項目以MOCVD和CVD分別為ZnO和石墨...
本項目針對二維材料在半導體器件接觸電極研究中的熱點和難點,將石墨烯零帶隙金屬性與二硫化鉬寬頻隙的半導體性相結合,利用多孔納米結構的構築剪裁,得到接近優良的歐姆接觸,並建立完善的接觸電極電荷輸運模型。本項目進展順利,在CVD法製備單晶石墨烯方面取得了突破性進步晶圓面積從2英寸到2米,而單晶晶疇尺寸從最初的...
以此為宗旨,本項目主要設計從以下幾個方面研究石墨烯的強場太赫茲回響,包括石墨烯材料及器件在高強度THz輻射下的諧波發生和Hot Luminescence等非線性效應; 利用太赫茲表征官能化石墨烯和雙柵極調控雙層CVD石墨烯能隙的開啟,同時驗證理論上預言的不同基底上石墨烯激子束縛能的變化;同時我們還通過探測不同物理圖像(如...
1.2.7 石墨烯在鋁空氣電池中的套用 1.2.8 石墨烯在能源發電裝置中的套用 參考文獻 第2章 石墨烯的製備 2.1 簡介 2.2 機械製備法 2.2.1 機械剝離機制 2.2.2 微機械剝離 2.2.3 球磨 2.2.4 其他 2.3 納米管裁切 2.4 淬火法 2.5 化學氣相沉積(CVD法)2.5.1 熱...
針對該問題,本項目提出了一種基於2D/3D多孔石墨烯的觸-壓覺仿生電子皮膚及其多尺度應力測量方法。研究了2D石墨烯薄膜的轉移、表征和測試,將利用CVD法製備的2D石墨烯薄膜成功轉移至PET柔性襯底上,在尺寸為10mm×10mm×50μm時壓阻靈敏度可達10.27Ω/kPa。研究了3D石墨烯泡沫的製備、表征和測試,基於模板...
《石墨烯遷移率的計算研究》是劉志榮為項目負責人,北京大學為依託單位的面上項目。科研成果 項目摘要 石墨烯是零帶隙半導體材料(又稱半金屬),它的一個突出優點是具有非常高的載流子遷移率。為了將石墨烯套用於新一代電子學,通常需要在石墨烯材料中將帶隙打開。但是,帶隙的打開往往會導致遷移率的下降。如果遷移...
電化學感測器的靈敏性、選擇性和穩定性依賴於電極材料的結構和性質,石墨烯作為完美的二維載體,具有優異的導電性、機械性能和大的比表面積,被用來與其他材料複合製備高靈敏度的電化學感測器。因此本課題結合石墨烯的化學氣相合成方法(CVD)與微電極製備技術,利用原位CVD合成方法在電極表面合成形態和性質可控的石墨烯膜...
陳遠富,男,博士、教授。 研究興趣和方向:石墨烯的宏量、可控制備及物理效應研究;石墨烯射頻石墨烯場效應電晶體研究;石墨烯基光電器件研究;石墨烯基新能源器件(太陽能電池、鋰離子電池、超級電容器)研究;磁性、介電、半導體的集成生長、界面控制與調製耦合效應。主要設備:石墨烯CVD系統、超高真空石墨烯外延系統...
製備了石墨烯和石墨烯/Bi2Se3/石墨烯的三明治飽和吸收體,分析了飽和吸收體的光損傷閾值、調製深度、非線性可飽和吸收係數及線性透過率等飽和吸收參數。分析了基於Bi2Se3 可飽和器件的新型摻Nd光纖雷射1360.61nm波段的被動調Q鎖模輸出特性。並成功將CVD法製備的石墨烯/Bi2Se3/石墨烯“三明治“結構分別轉移到光纖...