《石墨烯遷移率的計算研究》是劉志榮為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。
基本介紹
- 中文名：石墨烯遷移率的計算研究
- 項目類別 ：面上項目
- 項目負責人：劉志榮
- 依託單位 ：北京大學
科研成果,項目摘要,
科研成果
序號 | 標題 | 類型 | 作者 |
|---|---|---|---|
1 | The transition metal surface passivated edges of hexagonal boron nitride (h-BN) and the mechanism of h-BN's chemical vapor deposition (CVD) growth | 期刊論文 | Zhao, Ruiqi(#)，Li, Feifei，Liu, Zhirong，Liuc, Zhongfan，Ding, Feng(*) |
2 | Intrinsic carrier mobility of Dirac cones: the limitations of deformation potential theory | 期刊論文 | Li, Zhenzhu(#)，Wang, Jinying，Liu, Zhirong(*) |
3 | Anisotropic carrier mobility in two-dimensional materials with tilted Dirac cones: theory and application | 期刊論文 | Cheng, Ting(#)，Lang, Haifeng，Li, Zhenzhu，Liu, Zhongfan，Liu, Zhirong(*) |
4 | Identifying sp-sp(2) carbon materials by Raman and infrared spectroscopies | 期刊論文 | Wang, Jinying(#)，Zhang, Shuqing，Zhou, Jingyuan，Liu, Rong，Du, Ran，Xu, Hua，Liu, Zhongfan(*)，Zhang, Jin(*)，Liu, Zhirong(*) |
5 | Mobility anisotropy of two-dimensional semiconductors | 期刊論文 | Lang, Haifeng(#)，Zhang, Shuqing，Liu, Zhirong(*) |
6 | Controlling the orientations of h-BN during growth on transition metals by chemical vapor deposition | 期刊論文 | Zhao, Ruiqi(#)，Zhao, Xiaolei，Liu, Zhirong，Ding, Feng(*)，Liu, Zhongfan |
7 | In-Plane Uniaxial Strain in Black Phosphorus Enables the Identification of Crystalline Orientation | 期刊論文 | Zhang, Shuqing(#)，Mao, Nannan，Wu, Juanxia，Tong, Lianming(*)，Zhang, Jin(*)，Liu, Zhirong(*) |
8 | The rare two-dimensional materials with Dirac cones | 期刊論文 | Wang, Jinying(#)，Deng, Shibin，Liu, Zhongfan，Liu, Zhirong(*) |
9 | Scaling Universality between Band Gap and Exciton Binding Energy of Two-Dimensional Semiconductors | 期刊論文 | Jiang, Zeyu(#)，Liu, Zhirong(*)，Li, Yuanchang(*)，Duan, Wenhui(*) |
10 | Movement of Dirac points and band gaps in graphyne under rotating strain | 期刊論文 | Li, Zhenzhu(#)，Liu, Zhongfan，Liu, Zhirong(*) |
11 | Emergence of a Chern-insulating state from a semi-Dirac dispersion | 期刊論文 | Huang, Huaqing(#)，Liu, Zhirong，Zhang, Hongbin，Duan, Wenhui(*)，Vanderbilt, David |
12 | Spin-1 Dirac-Weyl fermions protected by bipartite symmetry | 期刊論文 | Zeren Lin(#)，Zhirong Liu(*) |
13 | Raman Spectra and Corresponding Strain Effects in Graphyne and Graphdiyne | 期刊論文 | Zhang, Shuqing(#)，Wang, Jinying，Li, Zhenzhu，Zhao, Ruiqi，Tong, Lianming，Liu, Zhongfan，Zhang, Jin(*)，Liu, Zhirong(*) |
14 | Identifying Dirac cones in carbon allotropes with square symmetry | 期刊論文 | Wang, Jinying(#)，Huang, Huaqing，Duan, Wenhui，Liu, Zhirong(*) |
項目摘要
石墨烯是零帶隙半導體材料（又稱半金屬），它的一個突出優點是具有非常高的載流子遷移率。為了將石墨烯套用於新一代電子學，通常需要在石墨烯材料中將帶隙打開。但是，帶隙的打開往往會導致遷移率的下降。如果遷移率下降太多，將會使石墨烯喪失原有的優勢，對其套用造成嚴重危害。基於這一認識，本項目將圍繞石墨烯的帶隙-遷移率關係展開研究，利用量子力學方法計算多種石墨烯相關低維體系（石墨烯納米篩、石墨烯-氮化硼雜化體系、石墨炔等）的遷移率，闡明各種散射過程（聲子散射、雜質散射等）影響石墨烯遷移率的方式，尋找如何在帶隙打開的條件下保持石墨烯高遷移率的方法，為相關的實驗研究及套用提供借鑑與參考。
