皮彪，男，博士南開大學泰達學院講師。
基本介紹
基本信息,個人簡介,
基本信息
研究方向：半導體材料與器件
個人簡介
皮彪，男，漢族，生於1967年7月，黑龍江省鶴崗市人。
主要教育及工作經歷如下：2007.7－至今 南開大學泰達套用物理學院，高級工程師
2004.9－2007.7 南開大學,博士
1999.7－2003.7 西北稀有金屬材料研究院,高級工程師
1996.9－1999.7 西安理工大學,碩士
1989.7－1996.9 西北稀有金屬材料研究院,工程師
1985.9－1989.7 西安理工大學,學士
獲中國有色金屬工業總公司科技進步一等獎（1996年）
寫論文、專著、教材等（有代表性的或者近5年發表的）：
1、Biao Pi, Yongchun Shu, Yaowang Lin, Jiaming Sun, Shengchun Qu, Jianghong Yao, Xiaodong Xing, Bo Xu , Qiang Shu, Zhanguo Wang, Jingjun Xu，Morphological and electrical properties of InP grown by solid source molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth, 299， 243-247(2007).
2、PI Biao, SUN Jia-ming, LIN Yao-wang, YAO Jiang-hong, XING Xiao-dong, CAI Ying,SHU Qiang, JIA Guo-zhi,LIU Ru-bin, LI Dan, WANG Zhan-guo, Unstable growth in InP homoepitaxy:Mound formation, 人工晶體學報, Vol.36(2): 263-266 (2007).
3、Biao Pi, Yongchun Shu, Yaowang Lin, Jiaming Sun, Jianghong Yao, Xiaodong Xing, Bo Xu, Shengchun Qu, Qiang Shu, Guanjie Zhang, Zhanguo Wang, Growth mode transition InP epilayers by solid source molecular beam epitaxy,半導體學報,Vol.28 Supplement：45-49(2007).
4、SHU Yong-chun, PI Biao, LIN Yao-Wang,XING Xiao-dong,YAO Jiang-hong, WANG Zhan-guo, XU Jing-jun, High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy, Trans. Nonferrous Met.Soc.China (SCI),Vol.15(2), 332-335(2005).
5、Zhang Guanjie, Shu Yongchun, Pi Biao, Xing Xiaodong, Lin Yaowang, Yao Jianghong, Wang Zhanguo and Xu Jingju
主要教育及工作經歷如下：2007.7－至今 南開大學泰達套用物理學院，高級工程師
2004.9－2007.7 南開大學,博士
1999.7－2003.7 西北稀有金屬材料研究院,高級工程師
1996.9－1999.7 西安理工大學,碩士
1989.7－1996.9 西北稀有金屬材料研究院,工程師
1985.9－1989.7 西安理工大學,學士
獲中國有色金屬工業總公司科技進步一等獎（1996年）
寫論文、專著、教材等（有代表性的或者近5年發表的）：
1、Biao Pi, Yongchun Shu, Yaowang Lin, Jiaming Sun, Shengchun Qu, Jianghong Yao, Xiaodong Xing, Bo Xu , Qiang Shu, Zhanguo Wang, Jingjun Xu，Morphological and electrical properties of InP grown by solid source molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth, 299， 243-247(2007).
2、PI Biao, SUN Jia-ming, LIN Yao-wang, YAO Jiang-hong, XING Xiao-dong, CAI Ying,SHU Qiang, JIA Guo-zhi,LIU Ru-bin, LI Dan, WANG Zhan-guo, Unstable growth in InP homoepitaxy:Mound formation, 人工晶體學報, Vol.36(2): 263-266 (2007).
3、Biao Pi, Yongchun Shu, Yaowang Lin, Jiaming Sun, Jianghong Yao, Xiaodong Xing, Bo Xu, Shengchun Qu, Qiang Shu, Guanjie Zhang, Zhanguo Wang, Growth mode transition InP epilayers by solid source molecular beam epitaxy,半導體學報,Vol.28 Supplement：45-49(2007).
4、SHU Yong-chun, PI Biao, LIN Yao-Wang,XING Xiao-dong,YAO Jiang-hong, WANG Zhan-guo, XU Jing-jun, High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy, Trans. Nonferrous Met.Soc.China (SCI),Vol.15(2), 332-335(2005).
5、Zhang Guanjie, Shu Yongchun, Pi Biao, Xing Xiaodong, Lin Yaowang, Yao Jianghong, Wang Zhanguo and Xu Jingju
