當發射區的磷摻雜濃度很高時，會使發射區下方的集電結結面向下擴展，這個現象稱為 基區陷落效應。
由於基區陷落效應，使得結深不易控制，難以將基區寬度做得很薄。
為了避免基區陷落效應，微波電晶體的發射區多採用砷擴散來代替磷擴散。
基本介紹
- 中文名：發射極陷落效應
- 別名：發射極推進效應
- 解釋：當在擴散有硼的基區上再擴散磷時，即出現發射區正下方的硼擴散深度要比外基區的擴散深度大
效應介紹
發射極陷落效應,也稱為發射極推進效應(Emitter-push effect)，這是在Si的n-p-n電晶體製造中出現的一種現象。當在擴散有硼的基區上再擴散磷時，即出現發射區正下方的硼擴晚永蘭乎潤驗散深度要比外基區的擴散深度大，這就是發射循悼說極推進效應。
產生這種效應的原因是由於磷-空位對[P+V2-]的離解而引起磷和硼擴散增強的結果。
發射極陷落效應祝宙試的危害就在於基區寬度不能得到減小，從而影刪灑殼響到電流盛棄放放大臘求元習係數以及和頻率和速度特性的提高。
