基本介紹
- 中文名:異質結雙極電晶體
- 外文名:heterojunction bipolar transistor
- 物理意義:得到最高的少子注入效率
異質結雙極型電晶體(Heterojunction bipolar transistor,HBT)是在雙極結型電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT)的基礎上,只是把發射區改用寬頻隙的半導體材料,即...
異質結雙極性電晶體(英語:heterojunction bipolar transistor,縮寫:HBT)是雙極性電晶體的一種,它的發射區和基區使用了不同的半導體材料。...
將雙極電晶體中的發射結做成異質結形成的電晶體稱為異質結雙極電晶體。...... 將雙極電晶體中的發射結做成異質結形成的電晶體稱為異質結雙極電晶體。...
雙極性電晶體(英語:bipolar transistor),全稱雙極性結型電晶體(bipolar junction transistor, BJT),俗稱三極體,是一種具有三個終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同...
異質結異質結構雙極電晶體 在半導體異質結構中,中間層有較低的能帶,因此電子很容易就由旁邊的夾層注入,是故在電晶體中由射極經過基極到集極的電流,就可以大為...
本書系統介紹了各種電晶體的工作原理、性能特點、主要參數和典型套用;同時將眾多...3.8.2 異質結雙極型電晶體 98第4章 晶閘管 1014.1 基本知識 101...
它的抗輻射能力比矽雙極電晶體高兩個數量級。微波功率電晶體還有矽靜電感應場效應管、矽VMOS和異質結(鎵鋁砷/砷化鎵)雙極電晶體等結構。 [1] ...
光電晶體是由雙極型電晶體或場效應電晶體等三端器件構成的光電器件。光在這類器件的有源區內被吸收,產生光生載流子,通過內部電放大機構,產生光電流增益。光晶體...
電晶體主要分為兩大類:雙極性電晶體(BJT)和場效應電晶體(FET)。 電晶體有三個極;雙極性電晶體的三個極,分別由N型跟P型組成發射極(Emitter)、基極(Base) 和...
由寬頻隙半導體材料製作發射區,以窄帶隙材料製作基區的雙極型電晶體成為異質結雙極型電晶體。 1、分類 按異質結數目:單異質結電晶體(SHBT)---只有發射結為異質...
3.10 電晶體的開關特性3.11 擊穿電壓3.12 P-N-P-N結構3.13 異質結雙極電晶體3.14 幾類常見的HBT第四章 金屬-半導體結4.1 肖特基勢壘...
2.7.1 異質結2.7.2 異質結雙極電晶體(HBT)2.7.3 高電子遷移率電晶體(HEMT)練習第3章 積體電路製造工藝3.1 矽平面工藝基本流程...
SiGe,Si異質結雙極電晶體 北京市科技進步二等獎。中文百科內容由網友共同編輯,如您發現自己的詞條內容不準確或不完善,歡迎使用本人詞條編輯服務(免費)參與修正。立即...
這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件,如異質結雙極性電晶體(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)、雷射二極體,或是太陽能電池上已經成為主流。...
在博士研究生期間,選定當前國際研究工作的前沿課題“異質結雙極電晶體及其電路的B類微波大信號特性”等的研究,並以“AIGaAS/GaAs HBT’S異質結器件的研究”為博士...
態和非平衡態半導體以及載流子輸運現象;第三部分是半導體器件物理,主要討論同質pn結、金屬半導體接觸、異質結以及雙極電晶體、MOS場效應電晶體、結型場效應電晶體等...
態和非平衡態半導體以及載流子輸運現象;第三部分是半導體器件物理,主要討論同質pn結、金屬半導體接觸、異質結以及雙極電晶體、MOS場效應電晶體、結型場效應電晶體等...
pn結二極體、金屬半導體和半導體異質結、金屬—氧化物—半導體場效應電晶體、雙極電晶體、結型場效應電晶體;第三部分是專用半導體器件,主要介紹光器件、半導體微波和...
態和非平衡態半導體以及載流子輸運現象;第三部分是半導體器件物理,主要討論同質pn結、金屬半導體接觸、異質結以及雙極電晶體、MOS場效應電晶體、結型場效應電晶體等...
2.異質結雙極電晶體(Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(base)異質結SiGe外延:其原理是在基區摻入Ge組分,通過減小能頻寬度,從而使基區少子從發射...
(JFET);同時還包含了用分子束外延(MB)E和有機金屬汽相沉積(MOCVD)生長的材料所製作的高電子遷移率電晶體(HEMT)和異質結雙極電晶體(HBT)等器件所研製的積體電路...
RF2360是通用型、低成本、高效率線性RF放大器IC,採用先進的砷化硺異質結雙極型電晶體處理。用於噪聲數值低於2db的級聯75增益電路,在5~~1500MHz內增益平坦度優於...
磷化銦和氮化鎵等為基礎的化合物半導體材料的MOCVD外延生長和相關光電子器件,如LED,光調製器,面發光雷射器和異質結雙極電晶體(HBT)的工藝研發工作,迄今已逾二十年...
第3章 半導體異質結第4章 異質結雙極電晶體第5章 化合物半導體場效應電晶體第6章 量子器件與熱電子器件第7章 半導體光電子器件?第8章 寬頻隙化合物半導體器件?...