《界面俄歇電子譜峰形分析》是依託清華大學，由何煒擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：界面俄歇電子譜峰形分析
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：何煒
- 項目類別：面上項目
- 批准號：69471004
- 研究期限：1995-01-01 至 1996-12-31
- 申請代碼：F0122
- 支持經費：6（萬元）
- 負責人職稱：教授
項目摘要
界面研究的一個基本方面，是探討界面原子和化學態和電子態。它包括不同元素原子間的成鍵狀況和局域電子態，在各種電子能譜中，只有俄歇電子譜因其俄歇電子出射過程的高度局域性而可以得到界面各個深度剖面的上述信息。我們發展了俄歇電子譜的譜峰數據處理和分析技術，並輔以因子分析（Factor analysis）法，得到了半導體元素原子間成鍵信息和價電荷轉移量，此項研究結果有推廣普遍意義，以GaAs/Si為例 ，發現界面處Si 有兩種化學態。一部份Si原子與As原子鍵合，並有0.3個P電子轉移至As原子上，它的局域電子態密度幅值明顯下降。而其他Si原子則保持純元素Si-Si鍵 。Ga不與Si成鍵。上述研究為美國寫稿人評述為新結果。多個國家來函索文。
