《用於亞40納米先進金氧半絕緣體上矽技術的精簡模型研究》是依託北京大學，由郭正邦擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：用於亞40納米先進金氧半絕緣體上矽技術的精簡模型研究
- 項目負責人：郭正邦
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
SOI 材料是國際上公認的新一代矽材料，可以用在20nm及更高級節點製程的電子設備上，擁有極佳的發展前景。準確和高效的模擬SOI器件行為對於以亞40納米先進金氧半絕緣體上矽技術製作的電路是極其重要的。因為SOI器件特有的浮體效應，精確的模擬該器件的行為是很困難的，當前學術界及工業界對於SOI器件浮體效應的了解僅僅局限於直流情況，而瞬態情況下的浮體效應還有很多問題亟待解決。現在急需一個能兼顧準確性、效率和靈活性的，模擬SOI器件瞬態浮體效應的精簡模型。該模型應能針對不同的器件結構以及最新的電路設計技術，模擬出SOI器件的瞬態特性，並能被嵌入到各種電路模擬系統中。基於此，我們提出用於亞40納米先進金氧半絕緣體上矽技術的精簡模型研究項目，爭取在3-4年內，在我們過去對SOI器件豐富的研究成果的基礎上，給出完整而可靠的關於SOI器件瞬態浮體效應的精簡模型，並形成一套有效的電路仿真工具。
結題摘要
此項目中, 奈米絕緣體上矽CMOS器件的建模已執行. 我們研究的絕緣體上矽CMOS器件包括多晶矽薄膜電晶體 及 絕緣體上矽CMOS器件的衍生物- 奈米管也被深入的研究. 從我們的研究顯示, 多晶矽薄膜電晶體會受到浮體效應的影響. 其中主導其器件性能的因素是寄生的bipolar器件. 對於多晶矽薄膜電晶體的可靠度(reliability)也在國際學術界首次建立分析模型. 在新進的奈米管方面, 我們利用圓柱座標的方式來解出分析模型. 這在國際半導體學術界是相當具有創意的解法. 除此之外在此計畫, 我們還建立了一個副產品: interconnects的瞬時模型也建立出來. 這對系統晶片的運相當有幫助. 在此項目執行期間, 前述研究的成果已產生五篇高質量長篇論文, 已發表刊登於頂級的國際半導體期刊上.
