產業專利分析報告（第67冊）——第三代半導體

內容簡介

本書是相關行業的專利分析報告。報告從該行業的專利（國內、國外）申請、授權、申請人的已有專利狀態、其他先進國家的專利狀況、同領域領先企業的專利壁壘等方面入手，充分結合相關數據，展開分析，並得出分析結果。本書是了解該行業技術發展現狀並預測未來走向，幫助企業做好專利預警的必備工具書。

作者簡介

國家知識產權局學術委員會為國家知識產權局內設的專利審查業務學術研究機構，本年度10種分析報告的承辦方為優選的各地專利代理事務所、律師事務所以及相關行業協會。每種報告的課題組約由20人組成，分別進行數據收集、整理、分析、製圖、審核、統稿。

圖書目錄

第1章緒論

1.1 技術背景

1.2 主要內容

1.2.1 技術現狀

1.2.2 市場現狀

1.2.3 政策現狀

1.3 主要研究內容

1.3.1 技術分解

1.3.2 數據來源及檢索策略

1.3.3 查全查準驗證

1.4 相關約定

1.4.1 專利分析術語

1.4.2 技術術語

第2章第三代半導體產業全球專利態勢

2.1 專利申請趨勢

2.1.1 碳化矽專利申請趨勢

2.1.2 氮化鎵專利申請趨勢

2.1.3 其他材料專利申請趨勢

2.2 全球專利區域分布

2.2.1 國家/地區分布

2.2.2 專利流向分析

2.2.3 在華分布情況

2.3 主要申請人排名

2.3.1 全球專利申請人排名

2.3.2 在華專利申請人排名

2.4 技術構成

2.4.1 全球技術構成

2.4.2 主要國家/地區技術構成對比

第3章碳化矽關鍵技術專利分析

3.1 碳化矽製備技術分析

3.1.1 專利申請趨勢

3.1.2 主要國家/地區專利布局對比

3.1.3 主要申請人分析

3.1.4 單晶生長技術發展路線

3.1.5 外延生長技術發展路線

3.1.6 技術生命周期分析

3.2 碳化矽器件技術分析

3.2.1 專利申請趨勢

3.2.2 主要國家/地區專利布局對比

3.2.3 主要申請人分析

3.2.4 碳化矽IGBT技術發展路線

3.2.5 技術生命周期分析

3.3 碳化矽套用技術分析

3.3.1 專利申請趨勢

3.3.2 主要國家專利布局對比

3.3.3 主要申請人分析

3.3.4 技術生命周期分析

第4章氮化鎵關鍵技術專利分析

4.1 氮化鎵製備技術分析

產業專利分析報告（第67冊）——第三代半導體

基本介紹

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