產業專利分析報告（第10冊）：功率半導體器件

內容簡介

《產業專利分析報告（第10冊）：功率半導體器件》是功率半導體器件行業的專利分析報告。報告從功率半導體器件行業的專利（國內、國外）申請、授權、申請人的已有專利狀態、其他先進國家的專利狀況、同領域領先企業的專利壁壘等方面入手，充分結合相關數據，展開分析，並得出分析結果。《產業專利分析報告（第10冊）：功率半導體器件》是了解功率半導體器件行業技術發展現狀並預測未來走向，幫助企業做好專利預警的必備工具書。

圖書目錄

第1章研究概述

1.1 技術概況

1.1.1 主要功率半導體器件的技術特點及套用

1.1.2 產業現狀

1.1.3 行業需求

1.2 研究對象和方法

1.2.1 技術分解

1.2.2 數據檢索

1.2.3 查全查準評估

1.2.4 數據處理

1.2.5 相關事項和約定

第2章功率半導體器件領域專利分析

2.1 全球專利分析

2.1.1 發展趨勢分析

2.1.2 首次申請國家／地區分析

2.1.3 目標國家／地區分析

2.1.4 申請人分析

2.2 中國專利分析

2.2.1 中國專利申請發展趨勢分析

2.2.2 主要技術分析

2.2.3 專利申請的國別分析

2.2.4 專利申請的省市／地區區域分布

2.2.5 國內外申請人的類型分析

2.2.6 主要申請人分析

2.3 結論

第3章 IGBT領域專利申請分析

3.1 IGBT領域產業技術概況

3.1.1 技術概況

3.1.2 產業現狀

3.2 全球專利申請現狀

3.2.1 技術構成分析

3.2.2 IGBT結構的技術發展路線

3.2.3 首次申請國家／地區分析

3.2.4 目標國家／地區分析

3.2.5 申請人分析

3.3 中國專利申請現狀

3.3.1 申請趨勢分析

3.3.2 技術構成分析

3.3.3 技術功效分析

3.3.4 國外申請人區域分布分析

3.3.5 中國申請人區域分布分析

3.3.6 主要申請人分析

3.3.7 小結

3.4 結論

3.4.1 全球申請

3.4.2 中國申請

第4章 SiC器件專利申請分析

4.1 全球專利申請現狀

4.1.1 申請趨勢分析

4.1.2 技術生命周期分析

4.1.3 技術構成分析

4.1.4 申請人國家／地區分布

4.1.5 申請人分析

4.2 中國專利申請現狀

4.2.1 申請趨勢分析

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基本介紹

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