《王陽元文集·第二輯》是2006年科學出版社出版的圖書，作者是王陽元。
基本介紹
- 中文名：王陽元文集·第二輯
- 作者：王陽元
- 出版時間：2006年1月
- 出版社：科學出版社
- ISBN：7030163400
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書收錄作者在1998年到2004年期間發表的重要論文和論述，內容涉及微電子學科的發展戰略研究、發展前沿綜述、學術論文、科學研究方法論等多個方面。
圖書目錄
編輯出版說明
序一
序二 我國微電子領域的戰略科學家——記我們心目中的王老師
戰略研究
微電子科學技術和積體電路產業
歷史機遇與我國微電子發展之路
2020年,把我國建成微電子強國
不到長城非好漢——談鍥而不捨地發展我國微電子產業
今日長纓在手,何時縛住蒼龍——談不斷掌握客觀規律,鍥而不捨地推進我國積體電路產業的發展
建設產前技術研發聯盟，自主創新、增強核心競爭力
附錄：智慧財產權是微電子產業建設的關鍵*
發展前沿綜述
21世紀的矽微電子學
日新月異的微電子技術
Technology Innovation and TalentCultivation——The Way T o ward aPo wer in Microelectronics
面向產業需求的21世紀微電子技術的發展
矽積體電路光刻技術的發展與挑戰
超深亞微米積體電路中的互連問題——低K介質與銅的互連集成技術
微電子晶片技術發展對材料的需求
微機電系統——跨世紀的新技術
學術論文
第一部分SOI/CMOS器件與電路研究
A High-Performance SOI Drive-in GateControlled Hybrid Transistor
Comprehensive Analysis of T he ShortChannel Effect in T he SOI GateControlled Hybrid Transistor
T he Behavior of Narro w-Width SOIM OSFE T’ s with M ESA Isolation
採用CoSi<sup>2</sup>SA LICIDE 結構C M OS／ SOI器件輻照特性的實驗研究
Hot Carrier Induced Degradation in Mesa-Isolated n-Channel SOI M OSFE TsOperating in a Bi-M OS M ode
全耗盡SOI M OSFE T 輻照導致的閾值電壓漂移模型
一個適用於模擬電路的深亞微米SOI M OSFE T 器件模型
適用於數模混合集成的SOI M OSFE T的失真分析
一個解析的適用於短溝SOI M OSFE T摧s的高頻噪聲模型
A T w o-Dimensional Physically-BasedCurrent M odel for Deep-submicrometerSOI Dynamic T hreshold-Voltage
A Novel Idea ：Using DT MOS to SuppressFIBL Effect in M OSFE T withHigh-k Gate Dielectrics
Distortion Behavior for SOI M OSFE T
Design Guideline of an Ultra-T hin BodySOI M OSFE T for Lo w-Po wer and High-Performance Applications
第二部分超深亞微米器件研究——模型,TCAD,High-K
Effect of Grain Boundary on MinorityCarrier Injection into Polysilicon Emitter
T he Influence of T unneling Effect andInversion Layer Quantization Effect onT hreshold Voltage of Deep Submicron
Computer Simulation on Lo w Energy IonImplantation Based on M olecularDynamics Methods
3~6nm 超薄SiO<sup>2</sup>柵介質的特性
T hreshold Voltage M odel for M OSFE T swith High-K Gate Dielectrics
Interfacial and Structural Characteristicsof CeO<sup>2</sup>Films on Silicon with a NitridedInterface Formed by Nitrogen唱Ion-Be
Influences of H <sup>+</sup><sub>2</sub> and He <sup>+</sup>Co-implantationinto Silicon on Electric Characteristicsof M OSFE T s
Atomistic Simulation of Defects Evolutionin Silicon During Annealing After Lo wEnergy Self-Ion Implantation
Highly Scaled CMOS Device Technologieswith New Structures and New Materials
第三部分微機電系統(MEMS)研究
Silicon-Glass Wafer Bonding with SiliconHydrophilic Fusion Bonding Technology
A Bulk Micromachined Vibratory LateralGyroscope Fabricated with Wafer Bondingand Deep T rench Etching
An Improved T M A H Si-Etching SolutionWithout Attacking Exposed Aluminum
A Small Equipment of Q studyof Microgyroscope
An Experimental Study on High-Temperature Metallization for Micro-H otplate-Based Integrated Gas Sensors
矽基MEMS加工技術及其標準工藝研究
Fabrication of Keyhole-Free Ultra-DeepHigh-Aspect-Ratio Isolation T renchand Its Applications
Simulation of T he Bosch Process with aString-Cell H ybrid Method
Integrated Bulk-Micromachined GyroscopeUsing Deep Trench Isolation Technology
第四部分RF 與電路研究
Numerical Calculation of ElectromigrationUnder Pulse Current with Joule Heating
Dependence of Electromigration Causedby Different Mechanisms on CurrentDensities in V LSI Interconnects
多晶矽發射極超高速積體電路工藝
Study on a Lateral-Electrical-Field PixelArchitecture for FLC Spatial Light Modulatorwith Continuously T unable Grayscales
基於單元故障模型的樹型加法器的測試
科學研究方法論
貴在執著，重在分析，在系統的科學研究工作中必將有所發現、有所發明
諾貝爾獎離我們並不遙遠——從積體電路發明獲今年諾貝爾物理學獎談起
物理學研究與微電子科學技術的發展
產業建設
建設8英寸0.25微米積體電路生產線項目建議書
論信息化與微電子產業——上海要做微電子產業和科技的大文章
北京要建設先進的積體電路晶片製造廠
關於建設深圳微電子晶片製造廠的建議
如何把國家積體電路設計上海產業化基地做強，做大——論設計業的市場、創新、產業鏈建設和人才培養的四維空間
關於專用設備產業建設的意見——裝備是工藝的物化，發展裝備業是建設微電子強國的戰略選擇
在中芯國際１２ 英寸投產典禮上的講話
教書育人
從美國加州伯克利大學研究生的培養看我國研究生制度的改革
創新與人才培養——論增強我國微電子產業的核心競爭力
在迎接2002年理科和文科新生會上的講話
立大志，常為新，成大器
學校教育幫助我樹立了一生的抱負
