王盛凱，男，中國科學院微電子研究所副研究員、高頻高壓器件與集成研發中心課題組長，曾任中科院微電子研究所助理研究員。
基本介紹
- 中文名：王盛凱
- 國籍：中國
- 職業：副研究員
- 學歷：博士
基本信息,簡歷,教育背景,工作簡歷,研究方向,獲獎及榮譽,代表論著,科研項目,專利申請,
基本信息
姓 名: 王盛凱
性 別: 男
職 稱: 副研究員
學 歷: 博士
通訊地址: 北京市朝陽區北土城西路3號
高頻高壓器件與集成研發中心
簡歷
教育背景
2008.10-2011.9 東京大學 材料工程系 博士
2002.9-2006.8 哈爾濱工業大學 材料科學與工程系 學士
工作簡歷
2015.8-至今 中科院微電子研究所 副研究員，課題組長
(2019.1-至今) 中科院微電子研究所青促會副組長
2015.4-2015.7 東京大學 材料工程系 公派訪問學者
2013.10-2015.3 中科院微電子研究所 副研究員
2011.10-2013.9 中科院微電子研究所 助理研究員
研究方向
MOS表面與界面科學, 仿生智慧型器件與套用
獲獎及榮譽
1.2017-2020, 中國科學院青年創新促進會會員
2.2018，中科院微電子所科普大賽一等獎
3.2017，中科院微電子所科普大賽一等獎
4.2011, Young Researcher Award, IEEE-IWDTF2011, Japan.
5.2009-2011, Global Center of Excellence Scholarship, Japan.
6.2008, 哈爾濱工業大學優秀畢業生－金牌
7.2006, 國防科工委優秀畢業生
代表論著
發表期刊和會議論文70餘篇
1.Z. Y. Peng, S. K. Wang*, Y. Bai, Y. D. Tang, X. M. Chen, C. Z. Li, K. A. Liu, X. Y. Liu, “High Temperature 1MHz Capacitance Voltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System”, J. Appl. Phys., 123 135302 (2018).
2.S. K. Wang, “Germanium and III-Vs for future logic (Invited)”, Compound Semiconductor-International, March 7-8, Brussels Belgium, 2017.
3.S. K. Wang, H. G. Liu, “Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces”, in book entitled “Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges”, Springer Publisher, New York, USA, 2017.
4.S. K. Wang, B. Sun, M. Cao, H. D. Chang, Y. Y. Su, H.-O. Li, H. G. Liu*, “Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations”, J. Appl. Phys., 121, 184104 (2017).
5.Y. Xu, S. K. Wang*, Y. Wang, D. Chen, “A Modified low-temperature wafer bonding method using spot pressing bonding technique and water glass adhesive layer”, Jpn. J. Appl. Phys., 57(2S1), 02BD01 (2017).
6.S. K. Wang, L. Ma, H. Chang, B. Sun, Y. Y. Su, L. Zhong, H. O. Li, Z. Jin, X. Y. Liu, H. Liu*, “Positive bias temperature instability degradation of buried InGaAs Channel n-MOSFETs with InGaP barrier layer and Al2O3 dielectric”, Chin. Phys. Lett., 34(5), 057301 (2017).
7.S. K. Wang, “Turbo charging the channel (Invited feature)”, Compound Semiconductor, 1, 22-30, (2016).
8.S. K. Wang*, M. Cao, B. Sun, H. Li, H. G. Liu, “Reducing the interface trap density in Al2O3/InP stacks by low-temperature thermal process”, Appl. Phys. Express 8, 091201 (2015).
9.X. Yang, S. K. Wang*, X. Zhang, B. Sun, W. Zhao, H. D. Chang, Z. H. Zeng, H. G. Liu*, “Al2O3/GeOx gate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method”, Appl. Phys. Lett., 105, 092101 (2014).
10.L. Han, S. K. Wang*, X. Zhang, B. Q. Xue, W. Wu, Y. Zhao, H. G. Liu*, “Effect of ultrathin GeOx interfacial layer formed by thermal oxidation on Al2O3 capped Ge”, Chin. Phys. B, 23(4), 046804 (2014).
11.S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi, “Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy”, Appl. Phys. Lett., 101, 5 (2012)
12.Y. Li, S. K. Wang, B. Sun, H. Chang, W. Zhao, X. Zhang, and H. Liu*, “Room temperature wafer bonding by surface activated ALD- Al2O3”, ECS Trans., 50 (7) 303-311 (2012)
13.S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, “Isotope tracing study of GeO desorption mechanism from GeO2/Ge stack using 73Ge and 18O”, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 04DA01 (2011).
14.S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, “Kinetic Effects of O-vacancy Generated by GeO2/Ge Interfacial Reaction”, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 10PE04-1 (2011). Selected as the Spotlight paper of Japanese Journal of Applied Physics 2011.
15.S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, “Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure”, J. Appl. Phys., 108, 054104 (2010).
科研項目
1.中國科學院青年促進會項目 (2017-2020) 80萬元 負責人
2.中物院橫向項目3項 (2017-2020) 166.8萬元 負責人
3.國家自然科學基金青年基金項目(61204103) “Ge-MOS 技術中鑭系複合高k介質與GeO2/Ge 界面調控的研究”（2013-2015）31萬元
4.中國科學院人才基金A類重點項目-“基於光子晶體技術的矽基鍺紅外探測器研究”（2013-2014）50萬元
參與科研項目情況：
骨幹參與02專項課題、國家重點研發計畫、973項目課題4項
專利申請
專利申請:74項專利申請(第一發明人25項)，授權17項（含美國專利1項)。
