王文武，2008－至今 ：中國科學院微電子研究所。
基本介紹
- 中文名：王文武
- 國籍：中國
- 性 別： 男
- 職 稱： 研究員
個人簡介,研究方向,獲獎及榮譽,
個人簡介
學 歷: 博士
所屬部門：
科技處
簡歷：
2006－2008年：日本半導體MIRAI項目；
2003－2006年：日本東京大學，獲得工學博士學位；
1998－2003年：蘭州大學，獲得理學博士學位；
1997－1998年：中國空間技術研究院第510研究所；
1992－1997年：蘭州大學，本科學習。
研究方向
納米尺度CMOS器件與工藝技術
獲獎及榮譽
1．2007年獲得日本半導體MIRAI項目優秀獎，獲獎項目：“Mechanism and control for the anomalous threshold voltage variation in metal/high-k gate stack”，本人排序：2；
2．2008年獲得日本半導體MIRAI項目最優秀獎，獲獎項目：“Clarification and quantification of interfacial dipole effect in high-k gate stack”，本人排序：9。
申請發明專利30餘項，其中美國專利2項，日本專利2項，國內專利30餘項。
承擔科研項目情況：
1．國家02科技重大專項項目：“22納米關鍵工藝技術先導研究與平台建設”（批准號：2009ZX02035），子課題負責人，在研；
2．國家自然科學基金重點項目：“鉿基金屬氧化物高k柵介質的基礎研究” （批准號：50932001），子課題負責人， 在研；
3．教育部留學人員回國啟動基金：“納米尺度CMOS器件金屬柵極的製備和高k/金屬柵集成與閾值電壓控制技術”，課題負責人，在研；
4．中科院微電子研究所所長基金：“高k/金屬柵集成與閾值電壓控制技術” （批准號：08SF041001），課題負責人，在研。
