1985年畢業於蘭州大學現代物理系(獲理學學士學位)，在中國科學院近代物理研究所工作至今。其中：1993年-1995年，2001年-2002年，2003多次赴法國國家重離子雷射交叉學科研究中心工作，2003年11月與日本北海道大學開展合作研究。
2001年度國家傑出青年基金獲得者。
2015年度亞太材料科學院院士（APAM Academician）。
現為近代物理研究所研究員、博士生導師。
研究方向：核物理套用—重離子與材料科學
基本介紹
- 中文名：王志光
- 外文名：Z.G.Wang
- 國籍：中國
- 民族：漢
- 出生地：山東青州
- 出生日期：1963.01.25
- 職業：科學家
- 畢業院校：蘭州大學
- 主要成就：2001年度國家傑出青年基金獲得者。
甘肅省科技進步一等獎（2003年度）
2004年入選甘肅省555創新人才工程第一層次人選
2006年中組部和中國科學院“西部之光優秀學者”。
長期從事先進核技術與材料科學的交叉學科的實驗與理論研究，並努力探索利用高能重離子輻照誘發合成特殊功能材料的新方法等。曾負責國家傑出青年基金、國家自然科學基金和中科院‘西部之光’及聯合學者項目、研究所知識創新方向性課題等。取得的主要科研成果有：
1、發展了熱峰模型，提出純金屬中強電子激發能轉化為靶原子位移能並引起輻照效應的可能方式，第一次將電子能損、材料物性與輻照效應聯繫在一起。定量解釋了電子能損在純金屬中引起的缺陷產生閾值、潛徑跡尺寸和離子速度效應，對元素周期表中的絕大多數金屬的可能電子能損效應作了預言。進一步改進模型，對高能重離子轟擊引起的金屬/金屬界面混合以及金屬表面濺射現象進行了半定量解釋。從理論上證實強電子激發可以引起原子混合，混合量由材料對電子能損的回響特性所決定等。
2、根據理論預言，精心設計實驗方案，選擇低熔點純金屬作實驗材料，成功進行了難度很大的純金屬中電子能損效應實驗，在國際上首次實驗測定電子能損在純金屬中引起輻照效應的入射離子速度效應，並發現輻照損傷效率隨輻照劑量反常增加的新現象。
3、獨立提出“隨機原子熱躍遷過程模型”，對強電子激發能轉化為靶原子運動能而引起缺陷產生與演化的模式作了較深入的描述。將電子能損、能量轉移模式、缺陷產生及其演化統一於一體，定量解釋了純金屬鐵中電子能損引起的缺陷退火及其截面以及輻照損傷效率等。
4、在國際上率先提出“低能離子注入+高能重離子輻照”合成特殊功能材料的新方法。通過離子注入摻入需要的原子及其濃度並限定區域，高能重離子輻照引起的離子路徑附近微區相變，實現定向、人為可控、納米尺寸結構且鑲嵌基體中的新型複合功能材料。該方法已用於合成碳氮化合物超硬材料和Si基光致發光材料的實驗研究，並取得一些較好成果。為研製新型光電子材料、超硬材料等特殊功能材料開闢了新途徑。
5、試驗成功用於輻照損傷剖面觀測的TEM斷面試樣製備技術，為深入開展利用高能重離子模擬研究反應堆材料的輻照損傷效應打下了堅實的技術基礎。
1、發展了熱峰模型，提出純金屬中強電子激發能轉化為靶原子位移能並引起輻照效應的可能方式，第一次將電子能損、材料物性與輻照效應聯繫在一起。定量解釋了電子能損在純金屬中引起的缺陷產生閾值、潛徑跡尺寸和離子速度效應，對元素周期表中的絕大多數金屬的可能電子能損效應作了預言。進一步改進模型，對高能重離子轟擊引起的金屬/金屬界面混合以及金屬表面濺射現象進行了半定量解釋。從理論上證實強電子激發可以引起原子混合，混合量由材料對電子能損的回響特性所決定等。
2、根據理論預言，精心設計實驗方案，選擇低熔點純金屬作實驗材料，成功進行了難度很大的純金屬中電子能損效應實驗，在國際上首次實驗測定電子能損在純金屬中引起輻照效應的入射離子速度效應，並發現輻照損傷效率隨輻照劑量反常增加的新現象。
3、獨立提出“隨機原子熱躍遷過程模型”，對強電子激發能轉化為靶原子運動能而引起缺陷產生與演化的模式作了較深入的描述。將電子能損、能量轉移模式、缺陷產生及其演化統一於一體，定量解釋了純金屬鐵中電子能損引起的缺陷退火及其截面以及輻照損傷效率等。
4、在國際上率先提出“低能離子注入+高能重離子輻照”合成特殊功能材料的新方法。通過離子注入摻入需要的原子及其濃度並限定區域，高能重離子輻照引起的離子路徑附近微區相變，實現定向、人為可控、納米尺寸結構且鑲嵌基體中的新型複合功能材料。該方法已用於合成碳氮化合物超硬材料和Si基光致發光材料的實驗研究，並取得一些較好成果。為研製新型光電子材料、超硬材料等特殊功能材料開闢了新途徑。
5、試驗成功用於輻照損傷剖面觀測的TEM斷面試樣製備技術，為深入開展利用高能重離子模擬研究反應堆材料的輻照損傷效應打下了堅實的技術基礎。
至今在國內外重要學術期刊上發表論文幾十篇，獲國家實用新型專利二項，作國際會議大會特邀報告2次，合編出版國際會議文集1部。
