王向展

王向展，男，電子科技大學教授副教授，1974年出生，陝西合陽人。分別於1996和1999年獲西安交通大學學士學位和電子科技大學碩士學位。1999年留校任教，主要從事高速數據轉換技術、RF集成技術方面的研究與教學工作。先後參與完成“九五”，“十五”國家、省部級科研任務近十項。已在《電子學報》《電子與信息學報》和ICCCAS等國內外重要學術刊物和國際學術會議上發表、合作發表論文10餘篇，其中被SCI收錄1篇、EI收錄8篇。“十一五”期間主研的在研項目有2項。

基本介紹

• 中文名：王向展
• 出生日期：1974年
• 性別：男
• 職稱：教授

人物經歷

王向展，男，電子科技大學教授副教授.1996年獲西安交通大學半導體物理與器件專業學士學位；1999年獲電子科技大學微電子學與固體電子學碩士學位，隨後留校工作；2010年獲電子科技大學微電子學與固體電子學專業博士學位；主講本科專業課程《積體電路原理與設計》、《綜合課程設計》和《微電子積體電路測試與版圖提取》。參加工作以來，主持/主研/完成國家自然科學基金、“973”、“863”、“十五”、“十一五”和“十二五”軍事電子預研項目、中央高校博士基金、產學研戰略產業專項、重點實驗室基金等20餘項重大科研項目的工作。

研究領域主要為Si基新型半導體器件（FinFET、TFET）、應變Si/SiGe器件與電路和特種積體電路設計。

發明專利

1. 王向展，王微，秦桂霞，曾慶平. 一種具有高Ge組分的應變SiGe層的製備方法，國家發明專利，申請號：201110408312.2

2. 王向展，秦桂霞，羅謙，王微，李競春. 一種MOS電晶體局部應力的引入技術，國家發明專利，申請號：201110268524.5

3. 王向展，於奇，楊洪東，王微. 一種具有高弛豫度SiGe緩衝層的製備方法，國家發明專利，申請號：201110223233.4

4. 王向展，於奇，寧寧，秦桂霞，曾慶平. 一種應變動態隨機存儲器存儲單元結構及製作方法，申請號：201110102927.2

5. 王向展，秦桂霞，寧寧，李競春. 一種記憶淺槽隔離局部應力的MOS器件柵的形成方法，國家發明專利，申請號：201110145491.5

6. 王向展，羅謙，秦桂霞，曾慶平. 一種應力穩定的MOS電晶體的柵的製造方法，國家發明專利，申請號：201110145470.3

7. 王向展，於奇，楊洪東，李競春，應賢煒. 一種應力放大的CMOS電晶體結構. 國家發明專利，申請號：201010539413.9

8. 王向展，杜江鋒，楊洪東，李競春，於奇，全馮溪. 一種具有複合應變溝道的CMOS器件. 國家發明專利，申請號：201010197847.5

學生培養

研究小組含Si基新型器件和特徵積體電路兩個研究方向，在讀博士/碩士研究生規模12名，每年招收研究生4~5名。畢業研究生工作單位有新加坡國立大學、上海空間電源研究所、中電集團24、44、55研究所、無錫上華等。

課題組與中國科學院半導體所、中科院微電子所、中電集團第24所、44所和55所等國內外研究機構和大學之間具有長期的合作關係。