熱施主缺陷

直拉單晶矽在300~500攝氏度範圍進行熱處理，會產生大量的施主，使n型單晶矽的載流子濃度增加，電阻率下降，而使p型矽載流子濃度被複合而電阻率上升，最終能轉換成n型矽。

半導體物理