熱探針法可以用作矽片N型或者P型的檢測。兩個探針與編碼形成歐姆接觸，如熱探針比冷探針高25-100℃。電壓表跨接在兩個探針之間測量電勢差，極性的指示可判斷材料是N或者P型。
| 中文名稱 | 熱探針法 |
| 英文名稱 | thermal probe method |
| 定 義 | 利用被加熱的鎢探針與室溫下半導體表面相接觸產生的溫差電動勢，判斷半導體導電類型的技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料性能測試（三級學科） |
基本介紹
- 中文名：熱探針法
- 用途：用作矽片N型或者P型的檢測
考慮圖示的N型樣品，多數載流子為電子。探針加熱時，電子的熱能比冷探針處的高，所以電子由於溫度梯度會從熱探針處擴散離開。若在熱探針和冷探針之間連線導線，將會得到可測量的電流，其方向對應如圖1所示
圖1 熱探針基本機理
