無掩模亞微米光刻機成套設備是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2009年11月16日啟用。
基本介紹
- 中文名:無掩模亞微米光刻機成套設備
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2009年11月16日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
主要功能為光刻,設備包括以下五個部分:1. 光學系統(包括照明光源、成像、CCD對準、自動對焦四部分), 2. 位移平台系統(x、y、z位移平台和轉動系統), 3. 電氣系統(包括電源、機械部件), 4. 控制系統(包括位移平台控制、圖像採集處理、自動曝光、圖形生成功能), 5. 隔振系統(由氣浮隔振平台、壓縮機組成)。光刻機解析度為0.65微米,套刻精度為0.3微米。
主要功能
用於半導體器件的製作,可用於微納器件的原位曝光,待曝光基底的尺寸可在20 毫米到2 英寸之間自由改變,可實現不規則形狀基底的曝光,特別適合於學術研究。