滿衛東(武漢工程大學材料物理教研室主任)

滿衛東，男，出生於1970年11月，博士，教授，現任武漢工程大學材料物理專業教研室主任。

基本介紹

• 中文名：滿衛東
• 國籍：中國
• 出生日期：1970年11月
• 職業：教授
• 畢業院校：合肥工業大學、武漢工程大學、中國科學院電漿物理研究所
• 主要成就：主持和參與國家、省科研項目10餘項，發明專利1項

個人履歷

1992年畢業於合肥工業大學化工系，獲學士學位；2002年2月畢業於武漢化工學院（現武漢工程大學）獲碩士學位；2006年7月畢業於中國科學院電漿物理研究所獲博士學位。2010年獲得教授職稱，武漢工程大學碩士生導師。現任材料物理專業教研室主任。

主要成就

主要從事CVD金剛石膜的製備與加工，微波能產業化套用研究、微波電漿工業套用，功能薄膜PVD、CVD設備與工藝的研發，材料表面塗覆與表面改性等方面的研究工作；目前的研究主要集中在單晶鑽石外延產業化生產的研究，大功率微波CVD金剛石膜沉積設備的研發等方面。對獲取國外先進的專業技術信息頗有研究。先後主持和參與國家、省自然科學基金等縱橫向科研項目10餘項。科研進賬212萬。作為第一作者或通訊作者在國內外核心刊物上發表研究論文60餘篇，其中SCI:17篇，EI:12篇。獲國家發明專利1項。

主要教學、科研項目

（1）電漿輔助固體接觸法圖形化CVD金剛石膜的研究（Q20081505），2008-2010，湖北省教育廳科研計畫項目

（2）廢水處理用高比表面導電金剛石膜電極的製備研究(2008CDB255)，2008-2010，湖北省自然科學基金

（3）聲表面波用金剛石/矽基底的研製，2009-2011，鄭州大學

（4）適應低碳經濟發展模式的材料物理專業培養方式的探索（2010235），2011-2012，湖北省教育廳重點教研項目

發表的主要論文

[1]Man Weidong, Weng Jun, et al., A Novel Method of Fabricating Large –crystal, well-facet Diamond through MPCVD, Plasma Science and Technology, 2009, 11(6):688-692

[2]滿衛東，翁俊，等，MPCVD法在基片邊緣生長大顆粒金剛石的研究，人工晶體學報，2011，40(1):53-59

[3]滿衛東，謝鵬，等，微波電漿同質外延修復金剛石的研究，人工晶體學報，2008，37(5):1157-1161.

[4]滿衛東，孫蕾，等，CVD金剛石膜表面圖形化加工技術的研究，微細加工技術，2008，101(3):25-29

[5] Man Weidong, Wang Jianhua, et al., Planarizing CVD diamond Films by using hydrogen plasma etching enhanced carbon diffusion process, Diamond and Related Materials, 2007, 6（8）：1455-1458

授權發明專利

1.一種金剛石表面圖形化方法，CN200710053016[1].9，發明人：滿衛東，汪建華