滅弧罩瓷低溫一次燒成工藝

滅弧罩瓷的低溫一次燒成工藝可用於製造工業用電器陶瓷.與傳統的二次燒成法相比,該發明的瓷料中加入了攤平溫度低於1140℃的B-Si玻璃,在吸附劑中加入了鋸末.其結果,

專利,簡介,

專利

申 請 號:
85105075
申 請 日:
1985.07.04
名稱:
滅弧罩瓷低溫一次燒成工藝
公 開 (公告) 號:
CN85105075
公開(公告)日:
1985.12.20
主 分 類 號:
C04B35/10
分案原申請號:

分 類 號:
C04B35/10;C04B35/78
頒 證 日:

優 先 權:

申請(專利權)人:
北京工業大學
地址:
北京市東郊九龍山
發 明 (設計)人:
曾美雲; 艾紅
國 際 申 請:

國 際 公 布:

進入國家日期:

專利 代理 機構:
北京工業大學專利代理事務所
代 理 人:
樓艮基

簡介

可在1140℃下一次燒成,使燒成溫度降低一百多度.在正常操作下產品合格率不低於二次燒成的合格率.材料的各項性能也完全達到我國部頒標準.

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