《源柵對置自對準GaAsMESFET研製》是依託北京師範大學，由羅晏擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：源柵對置自對準GaAsMESFET研製
- 依託單位：北京師範大學
- 項目負責人：羅晏
- 項目類別：面上項目
- 負責人職稱：助理研究員
- 批准號：69276030
- 研究期限：1993-01-01 至 1995-12-31
- 申請代碼：F0404
- 支持經費：6（萬元）
項目摘要
GaAs有負的微分遷移率區，短溝道MESFET工作時在溝道中形成高場疇。以此對源柵對置MESFET進行了直流、功率和高頻特性分析，設計和製作。一種全離子注入器件用高能矽埋層注入結合低劑量氧注入技術，由SI-GaAs製備出一個SI/n（+）埋層結構。一種用MOCVD在n（+）-GaAs上生長非摻SI-GaAs隔離層，輔以氧疊加高能注入使其縱向耐壓提高。矽選區注入在SI-GaAs層上形成溝道區和漏區歐姆接觸。W掩敝、疊加矽高能注入形成貫通隔離層的導電通道。用白光快速兩步退火使源導電區電阻降低。每器件單元多條鋁柵，雙導電溝道使跨導和功能密度增加，雙漏改善散熱。成熟的離子注入技術使新結構器件上藝簡單，便於集成向微波功率器件發展及測量的器件特性，優於國外發表的結果。
