湖北九峰山實驗室以建設世界領先的化合物半導體研發和創新中心為己任。緊密結合全球優勢學科領域和重點產業布局，連線科研與產業，建立成熟開放的實驗室運營機制，豐富的基礎IP交付標準，一流的設備環境，良好穩定的合作關係，打造成全球最具影響力的化合物半導體科研創新高地，催熟國內化合物半導體上游供應鏈，成為全球化合物半導體產業科研龍頭。
基本介紹
- 中文名：湖北九峰山實驗室
- 外文名：HUBEI JIUFENGSHAN LABORATORY
- 建築面積：100 km
研究領域,基礎設施,人才規劃,科研成果,現任領導,
研究領域
實驗室聚焦化合物半導體，主要涉及以下工藝領域：（一）SiC；（二）GaN；（三）InP；（四）GaAs；（五）化合物相關MEMS；（六）特種先進封裝；（七）多材料集成。
基礎設施
九峰山實驗室建築面積10萬平方米，無塵室8000平方米，外延及器件工藝設備總投資超20億元。實驗室擁有全球6/8 inch SiC & GaN、4/6 inch InP & GaAs外延及器件工藝線，及其他化合物材料工藝能力, 同時擁有世界頂尖的專業檢測平台，具備晶體材料分析，晶片級測試，器件失效分析的能力。
人才規劃
一期規劃多位學術和產業院士領銜的30位全球頂級專家和工程師+100位高校合作教授+300名高端工藝技術工匠，構建化合物半導體人才夢之隊。
科研成果
推出全球首款8寸矽光薄膜鈮酸鋰晶圓
2024年，全球首片8寸矽光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。此項成果使用8寸SOI矽光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，單片集成光電收發功能，為目前矽基化合物光電集成最先進技術。
現任領導
主任：丁琪超
