《流態化煅燒合成SiC新工藝及超快反應動力學研究》是依託北京科技大學，由曹文斌擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：流態化煅燒合成SiC新工藝及超快反應動力學研究
- 依託單位：北京科技大學
- 項目負責人：曹文斌
- 項目類別：面上項目
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50472094
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 申請代碼：E0204
- 支持經費：31（萬元）
項目摘要
本課題旨在研究懸浮煅燒合成超細SiC粉體製備新工藝和反應的動力學機理。主要包括：選擇合適的矽源如矽溶膠和碳源如蔗糖或澱粉，採用噴霧乾燥等手段在SiO2粉末表面包覆C薄層，製備出SiO2/C前驅體，以形成微反應體系增大反應界面；研究所形成微反應體系的有效性；採用懸浮煅燒合成工藝合成SiC粉體；表征所合成的SiC粉體，重點採用TEM研究未完全碳化粉末的粒度特徵及形貌特徵；研究產物中具有核殼結構的SiC粉末本身的晶體結構特徵、粉體內的缺陷組態、以及它們與工藝參數間的對應關係；研究表面反應產物包覆層的尺度、分布特徵以及與被包覆粉末之間的晶體學取向關係、成分關係；根據流體力學以及傳熱傳質的有關理論，建立數學物理方程；採用流體動力學連續介質（CFD）模型和離散顆粒（DPM）模型的耦合方法，模擬顆粒運動氣固兩相換熱過程。
