基本介紹
- 中文名：注入式雷射器
- 外文名：p-n junction laser
- 簡介：半導體結型二極體雷射器
- 發明時間：1962年
簡介,結構及原理,改進,用途,
簡介
又稱p-n junction laser，半導體結型二極體雷射器。是較成熟、較常用的一類半導體雷射器，於1962年首次研製成功。
結構及原理
它的主體是一個正向偏置的p-n結，當電流密度超過閾值時，注入載流子（電子和空穴）在p-n結結區通過受激輻射複合，產生雷射。其工作特性和輸出特性受溫度影響極大，故備有冷卻系統。最早的同質結型砷化鎵（GaAs）半導體雷射器，在一塊經過加工的砷化鎵單晶體的上、下兩面上（p型與n型砷化鎵）分別焊上電極，組成諧振腔的兩端面要平行，並經過研磨拋光，甚至塗膜，以增加反射，也可以直接利用平行的平坦晶面（自然解理面）組成諧振腔。砷化鎵的折射率約為3.6，在半導體與空氣的分界面上反射率高於30%，因此，它可提供光反饋作用，使雷射振盪能夠產生，雷射波長約為9040Å。
改進
1969年以後研製成功的砷化鎵單異質結和雙異質結型雷射器，使閾值電流密度（一般約為10^4 A / cm^2）降低到每平方厘米數百安培，並實現了在室溫下雷射器的連續運轉。
