簡介 磁光效應是光與具有磁矩的物質共同作用的產物。磁光效應主要有三種,即:法拉第效應、克爾效應、塞曼效應。在光學電流感測器領域,法拉第磁光效應的套用最為廣泛。光學電流感測器中磁光介質即磁光效應中具有磁矩的物質,是決定光學電流感測器性能的重要器件。具有磁矩的物質可以分為五大類,而在光學電流感測器領域,順磁性物質的套用最為廣泛。
1845年,法拉第發現:當一束平面偏振光通過置於磁場中的磁光介質時,平面偏振光的偏振面就會隨著平行於光線方向的磁場發生旋轉。旋轉的這個角度稱之為法拉第旋轉角。
也稱
磁致旋光 。在處於磁場中的均勻各向同性媒質內,線偏振光束沿磁場方向傳播時,振動面發生旋轉的現象。1845年M.法拉第發現在強磁場中的玻璃產生這種效應,以後發現其他非旋光的固、液、氣態物質都有這種效應。設磁感應強度為
B ,光在物質中經過的路徑長度為
d ,則振動面轉動的角度為
ψ =
VB d , (1)
式中
V 稱為
費爾德常數 ,與物質的性質、溫度以及光的
頻率 (
波長 )有關。在一定物質中不論光是沿磁場方向或逆磁場方向傳播,振動面的轉向都一樣,只由磁場方向決定。若轉向與磁場方向成右手螺旋關係,該物質的
V 取為正值,即
ψ >0。這樣,光來回傳播同樣距離後,其振動面的轉角等於單程轉角的兩倍。這是磁致
旋光 與天然旋光的區別(天然旋光情形,在來回傳播同樣距離後振動面恢復原來方位)。
法拉第 效應與
塞曼效應 有密切聯繫。磁場影響物質分子(
原子 )中電子的運動,使無磁場時的一條吸收線對於平行於磁場方向傳播的
入射光 分裂為兩條,分別對應於右旋和左旋
圓偏振光 的吸收線,二者
頻率 略有不同(倒
塞曼效應 );而且對於這兩種
圓偏振光 又有分別對應的
色散 曲線。最簡單情形如圖a所示(面對磁場的指向觀察)。這時,物質對任一
頻率 的兩種圓偏振光有不同的折射率
n +(左旋)和
n _(右旋),從而入射的線偏振光的振動面在傳播中發生旋轉,轉角為(圖1)(2)
圖1 圖b中畫出
n _-
n +的曲線。可以看出,圖中在吸收線之外
ψ >0,而在吸收線之間
ψ <0;在吸收線區域及其附近,
ψ 值很大。由於吸收線的裂距2Δ
ω 正比於
B ,在遠離吸收線區域
n _-
n +也近似正比於
B ,故有式(1)。天然
旋光 物質中發生磁致
旋光現象 時,應考慮上述兩種效應的疊加。鐵磁物質表現出很強的
法拉第 效應。這時
ψ 決定於物質中的
磁化強度 而不是外加磁場。
發現
1845 年法拉第(Michal Faraday)發現當線偏振光(見光的偏振)在介質中傳播時,若在平行於光的傳播方向上加一強磁場,則光振動方向將發生偏轉,偏轉角度ψ與磁感應強度B和光穿越介質的長度l的乘積成正比,即ψ=VBl,比例係數V稱為費爾德常數,與介質性質及光波頻率有關。偏轉方向取決於介質性質和磁場方向。上述現象稱為法拉第效應或磁致旋光效應。法拉第效應第一次顯示了光和電磁現象之間的聯繫。促進了對光本性的研究。之後費爾德(Verdet)對許多介質的磁致旋轉進行了研究,發現法拉第效應在固體、液體和氣體中都存在。大部分物質的法拉第效應很弱,摻稀土離子玻璃的費爾德常數稍大。近年來研究的YIG等晶體的費爾德常數較大,從而大大提高了實用價值。
實驗原理 法拉第效應是磁場引起介質折射率變化而產生的旋光現象,實驗結果表明,光在磁場的作用下通過介質時,光波偏振面轉過的角度(磁致旋光角)與光在介質中通過的長度L及介質中磁感應強度在光傳播方向上的分量B成正比,即:
θ=VBL
式中V稱為費爾德常數,它表征物質的磁光特性。幾種材料的費爾德常數值如下表。
法拉第效應實驗裝置如圖所示。由光源產生的複合白光通過小型單色儀後可以獲得波長在360~800nm的單色光,經過起偏鏡成為單色線偏振光,然後穿過電磁鐵。電磁鐵採用直流供電,中間磁路有通光孔,保證人射光與磁場B方向一致。根據勵磁電流的大小可以求得對應的磁場值。入射光穿過樣品後從電磁鐵的另一極穿出人射到檢偏器上,透過檢偏器的光進入光電倍增管,由數顯表顯示光電流的大小,即出射光強的大小。根據出射光強最大(或最小)時檢偏器的位置讀數即可得出旋光角。檢偏器的角度位置讀數也由數顯表讀出。
由經典電子論對色散的解釋可得出介質的折射率和入射光頻率w 的關係為:
式中ω0 是電子的固有頻率,磁場作用使電子固有頻率改變為(ωL ±ω0 )(ωL 是電子軌道在外磁場中的進動頻率)。使折射率變為:
由菲涅耳的旋光理論可知,平面偏振光可看成由兩個左、右旋圓偏振迭加而成,上式中的正負號反映了這兩個圓偏振光折射率有差異,以R n 和L n 表示。它們通過長度為L的介質後產生的光程差為:
由它們合成的平面偏振光的磁致旋光角為:
通常,nR ,nL ,和n,相差甚微,故
將此代入上式,又因ωL ≪ω可略去ωL 項,得:
可見括弧項即為費爾德常數,表示V 值和介質在無磁場時的色散率、入射光波長等有關。由馬呂斯定律可知,平面偏振光通過磁場中的介質和檢偏器後的光強為:
α為檢偏器和起偏器透光軸的夾角,θ為法拉第磁致旋光角。當α=π/4時,
若磁場變化則:
表示此時由檢偏器輸出的光強將隨產生磁場的電流i(調製電流)線性地變化,這就是光強度的磁光調製原理。在α=π/4時,dI/d= 1,即此時調製系統的信號檢測靈敏度最高,失真最小。
分類 描述物體磁性強弱程度的一個重要物理量是磁化強度矢量M,即單位體積內各個磁疇磁矩的矢量和。磁化強度M與磁場強度H的關係表示為:
M =χH式中 χ 為物體的磁化率。
按照物質磁化率 χ 的大小和符號、物質磁性來源和磁結構特性,物質磁性可分為抗磁性、順磁性、鐵磁性、反鐵磁性和亞鐵磁性五大類,下面分別簡述五大類磁性的基本特點。
① 抗磁性
物質由原子和分子組成。自由原子的磁矩有三個主要來源:一是電子的自旋,二是電子繞原子核旋轉的軌道角動量,三是電子在外加磁場中旋轉所感生的軌道磁矩變化。第三個來源是產生抗磁性的原因,前兩個來源不同程度上對順磁性、鐵磁性、反鐵磁性和亞鐵磁性有所貢獻。可以看出,所有物質都存在第三個來源,因此抗磁性在所有物質中都存在。由於抗磁性極其微弱,故在具有其他磁性的物質中抗磁性常常被掩蓋。
抗磁性亦稱為逆磁性。電子在外磁場中運動所感生的磁矩,其方向與外磁場相反。
② 順磁性
物質具有順磁性的必要條件是組成物質的原子、分子或離子具有固有磁矩。但這些原子(分子或離子)磁矩之間相互作用十分微弱,在熱運動的影響下,基本上處於無序排列狀態;溫度越高,排列越無序。物質磁化以後,原子(分子或離子)磁矩就有沿外磁場方向排列的趨勢,外磁場越大,排列越趨整齊。由此可見,順磁性物質的磁化強度M 與外磁場 H ,方向相同,不過僅顯示微弱的磁性。
③ 鐵磁性
鐵磁性物質原子或離子的電子之間存在交換作用,這種相互作用十分強大,與其等效的“磁場”稱為分子場。如此大的分子場足以克服熱運動的影響,使原子(離子)磁矩相互平行排列(交換積分 A > 0)。隨著溫度的升高,熱運動漸趨劇烈,磁矩平行排列趨勢逐漸變弱,
但僅是量變過程。當溫度高於居里溫度即CT >T時,熱運動能大於交換作用能,從而導致原子(離子)磁矩混亂排列,此時鐵磁性轉變為順磁性。
鐵磁性物質是一類重要的磁性材料,其中有一些也是優良的磁光材料。
④ 反鐵磁性
絕大多數反鐵磁性物質,如 MnO 和 NiO 等都是導電性很差的化合物,其陽離子通常為過渡族金屬離子,近鄰配位離子為陰離子。金屬離子之間距離較大,它們的電子殼層幾乎不存在交疊。因此,反鐵磁性物質的原子或離子磁矩之間存在間接交換作用,而不是如鐵磁性物質那樣的直接交換作用。這種相互作用十分強,但是反映間接交換作用大小的量——間接交換積分A <0間接,導致相鄰金屬離子磁矩之間相互反平行。相同晶格位置上的平行離子磁矩組成一個壓晶格,稱為磁亞晶格,反鐵磁性物質中一般存在兩個或兩個以上磁亞晶格。
反鐵磁性物質的相鄰磁亞晶格的磁矩之間相互反平行,因此對外並不顯示磁性。在外磁場作用下,也只能出現微弱的磁性。由反鐵磁性轉變為順磁性的磁相變點NT 稱為奈爾溫度。在
NT 處,χ最大。
⑤ 亞鐵磁性
與反鐵磁性物質一樣,亞鐵磁性物質中具有兩個或兩個以上磁亞晶格。所不同的是,相鄰磁亞晶格的原子(離子)磁矩方向相反,但大小不等,從而存在未抵消的磁矩,因此亞鐵磁性物質中存在相當強的磁性;有許多特性,如技術磁化過程的不少特徵與鐵磁性物質十分相似。 亞鐵磁性物質的磁化率 χ > 0,且很大。除鋇鐵氧體等永磁材料外,亞鐵磁性材料大多在高頻區域套用,對於χ特性的要求不同於低頻區域,有時對χ大小的要求顯得並不重要。亞鐵磁性物質的磁相變點稱為奈爾點。
⑥ 超順磁性
隨著納米材料的誕生和發展,一種新型的磁性物質出現了,稱為“超順磁性材料”。如果磁性材料是一單疇顆粒的集合體,對於每一個顆粒而言,由於磁性原子或離子之間的交換作用很強,磁矩之間將平行取向,而且磁矩取向在由磁晶各向異性所決定的易磁化方向上,但是顆粒與顆粒之間由於易磁化方向不同,磁矩的取向也就不同。
套用 法拉第效應可以套用於測量儀器。例如,法拉第效應被用於測量旋光度、或光波的振幅調變、或磁場的遙感。在自旋電子學裡,法拉第效應被用於研究半導體內部的電子自旋的極化。法拉第旋轉器(Faraday rotator)可以用於光波的調幅,是光隔離器與光循環器(optical circulator)的基礎組件,在光通訊與其它雷射領域必備組件。具體套用如下:
(1) 量糖計(自然旋光)
(2) 磁光開關與磁光調製器(點調製與空間調製)
(3) 磁光光碟:光信息存儲
(4) 磁光電流感測器(或互感器):測量大電流
(5) 磁光隔離器:在光通信和級聯式雷射器系統中用以隔離後續系統反饋的光信號
(6) 磁光偏頻器:零鎖區雷射陀螺中通過產生偏頻來消除雷射陀螺的閉鎖現象
法拉第效應可用於混合碳水化合物成分分析和分子結構研究。在雷射技術中這一效應被利用來製作光隔離器和紅外調製器。該效應可用來分析碳氫化合物,因每種碳氫化合物有各自的磁致旋光特性;在光譜研究中,可藉以得到關於激發能級的有關知識;在雷射技術中可用來隔離反射光,也可作為調製光波的手段。
因為磁場下電子的運動總附加有右旋的拉穆爾進動,當光的傳播方向相反時,偏振面旋轉角方向不倒轉,所以法拉第效應是非互易效應。這種非互易的本質在微波和光的通信中是很重要的。許多微波、光的隔離器、環行器、開關就是用旋轉角大的磁性材料製作的。