氮化鎵雷射器的關鍵技術研究是由中國科學院半導體研究所完成的科技成果,登記於2004年6月7日。
基本介紹
- 中文名:氮化鎵雷射器的關鍵技術研究
- 類別:科技成果
- 完成單位:中國科學院半導體研究所
- 登記時間:2004年6月7日
成果信息
成果名稱 | 氮化鎵雷射器的關鍵技術研究 |
成果完成單位 | 中國科學院半導體研究所 |
批准登記單位 | 北京市科學技術委員會 |
登記日期 | 2004-06-07 |
成果登記年份 | 2004 |
氮化鎵雷射器的關鍵技術研究是由中國科學院半導體研究所完成的科技成果,登記於2004年6月7日。
成果名稱 | 氮化鎵雷射器的關鍵技術研究 |
成果完成單位 | 中國科學院半導體研究所 |
批准登記單位 | 北京市科學技術委員會 |
登記日期 | 2004-06-07 |
成果登記年份 | 2004 |
氮化鎵雷射器的關鍵技術研究是由中國科學院半導體研究所完成的科技成果,登記於2004年6月7日。成果信息成果名稱氮化鎵雷射器的關鍵技術研究成果完成單位中國科學院半導體研究所批准登記單位北京市科學技術委員會登記日期2004-...
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