《氮化鎵基量子異質結構和發光性質》是依託北京大學，由胡曉東擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：氮化鎵基量子異質結構和發光性質
- 項目負責人：胡曉東
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：60776042
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：34（萬元）
項目摘要
以氮化物半導體低維異煮坑頌質結構，特別是InGaN/GaN量子阱為對象，開展氮化鎵基低維半導體受限體系的發光機芝組婚制研究。運用飛秒近場系統具有的飛秒時間分辨和納米空間分辨的刪戰請甩實驗牛茅手段，分析GaN基低維量子結構的時間和空間上的四維超高分辨光譜，探討半導體中載流子或激子祖芝付的動態馳豫、輻射複合、缺陷捕獲、擴散漂移等動力學過程；深入理解輻射複合和非輻射複合過程的物理本質；研究和揭示量子受限結構的光致發光機制、以及更複雜的電發光機制及影響電發光效率的關鍵因素，加深對量子阱中的電子－電子，電子－光子相互作用以及雷射器激射機制的認識；充分最佳化我們已提出的新型氮化物應變數子阱發光結構；研究提高達獄永整量子阱電致發光效率的新原理、新技術或新結構船嬸嘗；並研究以此新型應變數子阱為有源區的GaN基雷射器的閾值行為、模式特性及激射機制等。摸索出改善GaN基量子阱雷射器量子效率的主要途徑。為實現我國GaN基雷射器的實用化作出貢獻。
