《氫促進腐蝕及應力腐蝕的半導體膜模型》是依託北京科技大學，由喬利傑擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：氫促進腐蝕及應力腐蝕的半導體膜模型
- 依託單位：北京科技大學
- 項目負責人：喬利傑
- 項目類別：面上項目
- 批准號：59771062
- 申請代碼：E0103
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
- 支持經費：13（萬元）
項目摘要
研究了氫對金屬點蝕敏感性、鈍化膜形成、性能以及半導體性質的影響規律，並建立了相應的理論模型。研究表明，氫吸附會加劇金屬表面的不均勻性。氫促進氯離子的吸附，縮短金屬點蝕的形核時間和降低點蝕電位，加速點蝕生長速度。氫降低金屬的腐蝕電位，促進陽極溶解；氫延遲金屬鈍化膜的形成；降低反應阻力，導致維鈍電流密度隨預充氫電流密度的增加而增大；降低了膜在納米尺度上的結晶度，使膜的非晶化更為明顯。氫會提高純鐵和不鏽鋼鈍化膜的電容和摻雜濃度，並降低平帶電位。升高鈍化膜的光電流峰值，降低鈍化膜的光學禁頻寬度。氫在鈍化膜的基體的界面上富集，使得鈍化膜強度和基體的結合力降低，導致鈍化膜易於破裂，應力腐蝕敏感性增加。
