氣隙擊穿電壓

氣隙擊穿電壓是決定外絕緣水平的重要因素之一，它是指氣隙擊穿的最小電壓。

基本介紹

• 中文名：氣隙擊穿電壓
• 外文名：Air gap breakdown voltage
• 一級學科：工程技術
• 二級學科：能源技術
• 作用：決定外絕緣水平的重要因素
• 定義：氣隙擊穿的最小電壓

定義

氣隙擊穿電壓是決定外絕緣水平的重要因素之一，它是指氣隙擊穿的最小電壓。

影響因素

1、在電極形狀上做得較為均勻些；

2、利用額外電荷改善呢電場分布；

3、增加屏障；

4、採用高氣壓或高真空環境；

5、選用電氣強度較高的氣體。

確定方法

圖1所示，其為典型的大氣壓氖氣介質阻擋均勻放電的穩態放電波形圖。圖中U為外加電壓，:為氣隙電流，它們可以直接測量得到。除了穩態放電，在放電初始，還有一過渡過程，即從不放電到氣隙擊穿的過渡過程，如圖2所示。圖中所示的外加電壓頭兩個半周期內，氣隙沒有擊穿，電流為位移電流。在外加電壓的第3個半周期內，大約在t=-12s時刻，電流波形上出現了第一個放電電流尖峰，這表明氣隙首次擊穿。氣隙首次擊穿後，在外加電壓的每半個周期內都出現了一個放電電流脈衝（即擊穿一次），並且電流脈衝幅值逐次增大，直至達到9mA左右穩定下來，表明氣隙進入了穩態擊穿階段。而圖1所示的穩態擊穿階段的外加電壓和電流波形圖是在首次擊穿發生15個電壓周期之後記錄下來的。

氣隙穩態擊穿階段的放電波形圖

氣隙從首次擊穿向穩態擊穿的過渡過程

在這兩種情況下，測量得到的電壓都為外加電壓，但是，真正對氣隙擊穿起作用的是氣隙上的電壓U_g，但人們難以直接測量U_g，而只能通過實驗測量和電路計算相結合的方法間接得到U_g，得到氣隙電壓後就可以計算擊穿場強等物理量。