氣相摻雜指通過氣相使雜質進入半導體的技術。
中文名稱 | 氣相摻雜 |
英文名稱 | gas phase doping,vapor phase doping |
定 義 | 通過氣相使雜質進入半導體的技術。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),總論(三級學科) |
套用學科:材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),總論(三級學科)
氣相摻雜指通過氣相使雜質進入半導體的技術。
中文名稱 | 氣相摻雜 |
英文名稱 | gas phase doping,vapor phase doping |
定 義 | 通過氣相使雜質進入半導體的技術。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),總論(三級學科) |
氣相摻雜指通過氣相使雜質進入半導體的技術。...... 氣相摻雜指通過氣相使雜質進入半導體的技術。中文名稱 氣相摻雜 英文名稱 gas phase doping,vapor phase doping ...
快速氣相摻雜是一種摻雜劑從氣相直接向矽中擴散、並能形成超淺結的快速摻雜工藝。利用快速熱處理過程(RTP)將處在摻雜氣氛中的矽片快速均勻地加熱至所需要的溫度,...
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