毛世峰，1984年7月生於安徽省合肥市，現為中國科學技術大學物理系博士後。師從於丁澤軍教授進行電子與固體相互作用的相關Monte Carlo計算模擬研究。
基本介紹
- 中文名：毛世峰
- 國籍：中國
- 民族：漢
- 出生地：安徽省合肥市
- 出生日期：1984年7月
- 畢業院校：中國科學技術大學
- 主要成就：發表論文15篇，並著有著作章節一篇。
個人經歷,科研方向,
個人經歷
2000.9-2004.7 中國科學技術大學物理系。
2004.9-2006.7 中國科技大學物理系凝聚態物理專業碩士研究生。
2006.9-2009.12 中國科技大學物理系凝聚態物理專業博士研究生（碩博連讀）。
2010.3- 中國科技大學物理系博士後
科研方向
電子與固體的非彈性相互作用以及二次電子的產生機理的研究。 在材料的分析中，電子信號是非常的，如SEM，XPS，AES等分析手段。
電子在材料中的彈性散射可以很好的利用Mott截面來描述，與之相對的，電子與固體的非彈性相互作用非常複雜，難於通過公式描述。電子與固體的非彈性相互作用涉及到能量損失及動量轉移，而其散射截面正比於能量損失函式(energy loss function, ELF)。
考慮到當動量轉移趨近於零時，能量損失函式趨近於光學能量損失函式，可以通過豐富的光學實驗數據來外推得到電子在固體中的非彈性散射截面。
利用D.R. Penn在1987年提出的思想，我們計算了大量材料的非彈性散射截面。通過比較計算得到的及實驗中測得的非彈性散射平均自由程(inelastic mean free path, IMFP)，可以看出目前的方法可以有效的得到能量區間為1-10000 eV中的電子的非彈性散射截面，這較之前的理論計算有了極大突破。 另外，而在SEM中，重要的電子信號為50 eV以下，通常被稱為二次電子(SE)，其產額和能譜是實驗中所關注的。
實驗中所獲得的二次電子實際上在固體中經歷了大量的彈性及非彈性散射，另外，入射電子與固體非彈性散射時能量損失所激發的二次電子在固體中仍有機會進一步級聯產生新的二次電子。這些情況使得通過解析的分析二次電子產額和能譜非常困難，甚至於二次電子的激發也是到目前為止也未明確其機理。為止我們提出了一套二次電子產生的機理。
為了驗證其正確與否，我們採取Monte Carlo方法來模擬電子在固體中的輸運，將二次電子的產生的模型加入其中。計算得到的二次電子產額及分布都極大的支持了我們的模型。
